Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de baja potencia y alta velocidad con densidades de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB.
Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm 90-ball FPBGA.
Con cada nueva generación de productos, los diseñadores de dispositivos portátiles de hoy en día tienen la tarea de proporcionar una mayor funcionalidad en menos espacio con el uso de menos energía. Para satisfacer esta demanda, los dispositivos presentados cuentan ATCSR (Auto Temperature Compensated Self-Refresh) para minimizar el consumo de energía a temperaturas ambientales bajas. Además, su característica PASR (Partial Array Self-Refresh) reduce la potencia con sólo actualizar los datos críticos, mientras que el modo profundo de bajo consumo (DPD) proporciona un estado de potencia ultra-baja cuando no se requiere la retención de datos.
A medida que el número de proveedores de SDRAM DDR móviles continúa disminuyendo, Alliance Memory ofrece a los diseñadores una nueva fuente para sus necesidades de bajo consumo de energía. Las AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 y AS4C64M32MD1 de la empresa proporcionan drop-in fiable, repuestos compatibles pin-a-pin, para una serie de soluciones similares de gran ancho de banda y de aplicaciones de sistemas de alto rendimiento de memoria en electrónica de consumo portátil, equipos médicos y dispositivos de red.
Con su arquitectura de doble velocidad de datos, las SDRAM DDR móviles ofrecen funcionamiento a alta velocidad con velocidades de reloj de 166 MHz y 200 MHz. Para un funcionamiento óptimo en ambientes extremos, todos los dispositivos están disponibles en rangos de temperatura extendidos (-30°C a +85°C) e industrial (-40°C a +85°C). Los SDRAM DDR móviles ofrecen un funcionamiento totalmente sincrónico y proporcionan lectura programable o longitudes de ráfaga de escritura de 2, 4, 8, o 16. Una función de pre-carga ofrece una fila de precarga auto-programada iniciada al final de la secuencia de ráfaga. Funciones de actualización fáciles de usar incluyen auto o self-refresh. Compatible con RoHS, los dispositivos están libres de plomo (Pb) - y halógenos.
Articulos Electrónica Relacionados
- Memoria NAND Flash interfaz de... Toshiba Electronics Europe ha lanzado una nueva línea de productos memoria SLC NAND Flash de 24nm para aplicaciones embebidas compatibles con la interfaz...
- Memorias nvSRAM de Cypress con... Cypress Semiconductor Corp. presenta nuevas memorias nvSRAM serie con interfaces I2C y SPI, de uso extendido en aplicaciones de contadores, industria y au...
- Componentes DDR2 SDRAM de alta... I’M Intelligent Memory, fabricante "fabless" de DRAM ubicado en Hong Kong, entra en el mercado de los componentes de memoria para uso industrial con capacidades...
- IGBT de 600 V de IR optimizado... International Rectifier lanza al mercado una familia de IGBT de 600 V homologados para el automóvil y optimizados para aplicaciones de control de motores de vel...
- Diodos de alta potencia TVS de... Los nuevos diodos TVS de la serie LTKAK de Littelfuse ya están disponibles en Europa a través de TTI, Inc., un distribuidor líder mundial d...
- Menor consumo en modo reposo d... Renesas Electronics ha anunciado el desarrollo exitoso de una nueva tecnología de circuitos SRAM de baja potencia que puede ser incorporada en productos ...
- Samsung producirá de manera ma... Samsung Electronics, Co., Ltd., ha anunciado la producción en masa de los primeras SSD PM853T con NAND de 3 bit capaces de ofrecer el mejor rendimiento del merc...
- Regulador CC/CC mModule de 15A... Linear Technology Corporation presenta el LTM4627, un regulador CC/CC µModule®, 15 A, que incluye las inductancias, los MOSFET y loa componentes adicionales en ...
- Solución de memoria para almac... Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha anunciado el lanzamiento de una nueva solución de memoria para almacenamiento (SCM): XL-FLASH ™. Basado en la innovadora tec...
- Intel y Micron presentan una m... Intel Corporation y Micron Technology, Inc. han presentado la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar cualquier dis...
- Dispositivos de memoria flash ... Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha comenzado a mandar muestras de la versión de 128GB de almacenamiento flash universal (UFS) Ver.3.0 de la industria de...
- Samsung produce de manera masi... Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado la producción en masa de las memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetro...