Nexperia, el experto en semiconductores esenciales, ha anunciado una gama de nuevos rectificadores de Germanio de Silicio (SiGe) con voltajes inversos de 120 V, 150 V y 200 V que combinan la alta eficiencia de sus contrapartes Schottky con el Estabilidad térmica de diodos de recuperación rápida.
Toshiba Electronics Europe GmbH ha anunciado un nuevo IGBT (insulated gate bipolar transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de cocina, arroceras y hornos microondas.
Nexperia ha presentado la primera familia de MOSFETs de canal P de la industria en el robusto encapsulado LFPAK56 (Power-SO8) que ahorra espacio. Calificado AEC-Q101 para aplicaciones de automoción, los nuevos dispositivos son un reemplazo ideal para los MOSFET DPAK, ya que ofrecen una reducción de la huella de más del 50% y mantienen altos niveles de rendimiento.
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May 28, 18:12 pm
Rectificadores de Germanio de Silicio (SiGe) certificados AEC-Q101 con 120 V, 150 V y 200 V
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May 08, 07:45 am
IGBT de 1350 V para aplicaciones en electrodomésticos
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May 07, 17:13 pm
MOSFETs de canal P en encapsulado LFPAK56 calificado AEC-Q101
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