MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor alas de gaviota, conocido como L-TOGLTM.
Gracias a sus encapsulados L-TOGL y a las características mejoradas de disipación del calor derivadas, los nuevos MOSFET de Toshiba están altamente optimizados para gestionar grandes corrientes. Cada uno de ellos presenta elevados valores nominales de corriente de drenaje (400 A para el XPQR3004PB y 200 A para el XPQ1R004PB), además de valores de resistencia de activación líderes en el sector (0,3 mΩ para el XPQR3004PB y 1 mΩ para el XPQ1R004PB).
En estos dispositivos no hay estructura de poste interna (conexión soldada). Esto se consigue conectando los cables fuente y exterior con un innovador clip de cobre. El uso de una estructura multipolo para los cables fuente reduce la resistencia del encapsulado (y las pérdidas asociadas) en aproximadamente un 70% en comparación con el encapsulado TO-220SM(W) existente. La corriente de drenaje (ID) nominal resultante del XPQR3004PB representa un aumento del 60% con respecto al actual TKR74F04PB, alojado en el encapsulado TO-220SM(W). Además, el robusto marco de cobre reduce sustancialmente la impedancia térmica entre la unión y la carcasa. Es de 0,2 °C/W para el XPQR3004PB y de 0,65 °C/W para el XPQ1R004PB. Esto facilita la disipación del calor, reduce las temperaturas de funcionamiento y mejora la fiabilidad.
Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB, diseñados para su uso en aplicaciones exigentes de automoción a temperaturas de hasta 175 °C, cuentan con la certificación AEC-Q101. Sus conductores en ala de gaviota reducen la tensión de montaje y facilitan la inspección visual, contribuyendo así a mejorar la fiabilidad de la unión soldada.
Cuando se utilizan en aplicaciones de automoción de alta corriente, como relés semiconductores o generadores de arranque integrados (ISG), los XPQR3004PB y XPQ1R004PB permiten simplificar los diseños y reducir el número de MOSFET necesarios. Esto permite reducir el tamaño, el peso y los costes.
Articulos Electrónica Relacionados
- Soluciones de infraestructura ... Farnell anuncia la disponibilidad de sus nuevos productos EliteSiC de carburo de silicio (SiC), altamente optimizados para las soluciones de infraestructura ene...
- Acelerómetros de tres ejes ult... Kionix Inc., parte del grupo ROHM, ha anunciado recientemente los primeros acelerómetros ultrafinos plenamente funcionales de tres ejes de la industria, el KX11...
- Ópticas con patrones PixelTec ... Ocean Thin Films ahora brinda su proceso patentado de capa óptica en patrones PixelTec™ para filtros de paso de banda de alta precisión, abriendo nuevas posibil...
- Diodos de barrera Schottky SiC... Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") anuncia el lanzamiento de doce diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V basados en su ú...
- Circuito mediante transmisores... Würth Elektronik ha publicado un diseño de circuito mediante transmisores con separación galvánica. La solución tiene un aislamiento de 1,5 kV/60 s y por lo tan...
- Fotoacopladores de Entrada con... Toshiba Corporation anuncia el lanzamiento de fotoacopladores de alta velocidad para controladores lógicos programables (programmable logic controller, PLC) que...
- Pila de protocolo CANopen para... Renesas Electronics Europe y port GmbH han anunciado la disponibilidad de una pila de protocolo CANopen altamente eficiente para los MCUs RX231 smart de 32 de R...
- MOSFET Nch de baja resistencia... ROHM ha desarrollado MOSFET Nch (40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) de las series RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, 13 números de artículo, adecuados para aplicaciones que funcio...
- LED de alto brillo en encapsul... Con la denominación ASMT-YTx2 Avago Technologies anuncia una familia de LED tricolor de alto brillo en encapsulados de montaje superficial de tamaño mínimo, PLC...
- Módulo Bluetooth 4.2 de Panaso... Panasonic Industry Europe presenta un módulo de RF Bluetooth 4.2 de modo dual embebido altamente integrado que ofrece un funcionamiento de alta velocidad...
- Teledyne Relays anuncia sus nu... Teledyne Relays acaba de añadir a su catálogo sus relés de estado sólido de alta potencia en CC con voltajes de carga comprendidos desde 42V hasta 1700V, y corr...
- MOSFET diminuto de canal N de... Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V con una corriente nominal de 20 A, para su uso en circuitos...