FET GAN de Nexperia para aplicaciones de baja y alta tensión
Mouser dispone ahora de FET de potencia de nitruro de galio (FET de GaN) en modo e (modo de mejora) para aplicaciones de baja (de 100 a 150 V) y alta (650 V) tensión de Nexperia. Estos FET de GaN de potencia ofrecen una densidad de potencia mejorada gracias a la reducción de las pérdidas de conducción y conmutación. Estos dispositivos GaN son ideales para aplicaciones de potencia de consumo e industriales, como las infraestructuras de redes, de automatización y de comunicaciones.
Los FET GaN en modo de mejora de 650 V de Nexperia presentan valores RDS(on) de entre 80 y 190 mΩ en una selección de paquetes DFN 5x6 mm y DFN 8x8 mm que aumentan la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones de telecomunicación/comunicación de datos, carga por parte de consumidores, solares e industriales de alta y baja tensión (<650 V). También pueden utilizarse para diseñar motores de CC sin escobillas y accionamientos de microservidores de precisión con un par y una potencia mayores. Nexperia ofrece también un FET GaN de 100 V (3,2 mΩ) en un paquete WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mΩ) en un paquete FCLGA. Estos dispositivos son adecuados para una amplia variedad de aplicaciones de baja tensión (<150 V) y alta potencia para ofrecer, por ejemplo, convertidores CC-CC más eficientes en centros de datos, una carga más rápida (movilidad electrónica y USB Type-C™), transceptores LiDAR más pequeños, amplificadores de audio de clase D con menor ruido y dispositivos de consumo con mayor densidad de potencia, como teléfonos móviles, ordenadores portátiles y videoconsolas.
Articulos Electrónica Relacionados
- Magnetómetro 3D optimizado par... Melexis presenta el MLX90397, un dispositivo sensor de 3 ejes de 16 bits que tiene un rango de campo magnético que alcanza los 50mT (con un rango adaptativo en ...
- Sensor de cámara que mejora la... Melexis presenta el sensor de imagen MLX75411 Avocet High Dynamic Range. Diseñado originalmente para la ayuda al conductor y aplicaciones de visión nocturna, el...
- Dispositivo de alimentación in... Renesas Electronics Corporation ha presentado un nuevo dispositivo de alimentación inteligente (IPD) para automoción que controlará de forma segura y flexible l...
- Nuevos SBD de ROHM con una ten... ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de 100 V que ofrecen un tiempo de recuperación inversa (trr) líder en la industria para circuitos de alime...
- MOSFET de carburo de silicio (... Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba") ha presentado un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200V destinado a aplicaciones industriales de alta potencia ...
- Drivers para el control de mot... Toshiba Electronics Europe presenta cinco nuevos drivers de nueva generación para el control de motores paso a paso. Los nuevos drivers están diseñados basándos...
- Fotoacoplador para aplicacione... Toshiba Electronics Europe ha lanzado un nuevo fotoacoplador adecuado para aplicaciones de comunicación en equipos de automatización en fáb...
- Ópticas con patrones PixelTec ... Ocean Thin Films ahora brinda su proceso patentado de capa óptica en patrones PixelTec™ para filtros de paso de banda de alta precisión, abriendo nuevas posibil...
- Nuevas opciones PLD de control... Lattice Semiconductor Corporation anuncia la ampliación de su popular familia PLD de control MachXO3™ para abordar los cambiantes requisitos de dis...
- Entornos de chip SerDes para S... Los ingenieros ahora pueden diseñar sistemas avanzados de asistencia al conductor de alta resolución ( ADAS ), ya sea con STP tradicional o con cables coaxiales...
- Transceptor de alta velocidad ... Maxim Integrated Products presenta el MAX2982, el primer transceptor de comunicaciones de línea eléctrica de banda ancha, compatible con HomePlug® 1.0, para ent...
- Cinta de uniformidad de 3M que... Al objeto de satisfacer las demandas de flexibilidad de diseños de los fabricantes de pantallas LCD, la división de Sistemas Ópticos de 3M ha desarrollado una s...