El primer producto de alto voltaje de esta nueva plataforma es el MOSFET AOTL037V60DE2 de 600V de AOS, diseñado para satisfacer la creciente demanda de alta eficiencia y alta densidad de potencia en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo servidores, estaciones de trabajo, rectificadores de telecomunicaciones, inversores solares, controladores de motores y sistemas de potencia industriales.
Los desafíos de diseño de las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media a alta potencia y los sistemas de inversores solares se pueden resumir en cuatro requisitos clave: mayor eficiencia, mayor densidad de potencia, menor coste total del sistema y robustez sin compromisos. Para cumplir estas expectativas, los MOSFET Super Junction de alto voltaje se han convertido en los dispositivos preferidos para topologías críticas, incluyendo la pata lenta del totem-pole PFC, convertidores resonantes LLC, PSFB y cicloconvertidores.
AOS desarrolló su avanzada plataforma αMOS E2™ High-Voltage Super Junction MOSFET con un diodo de cuerpo intrínsecamente robusto, capaz de manejar de manera fiable escenarios de conmutación dura, como la recuperación inversa del diodo de cuerpo libre que puede ocurrir durante eventos anómalos, como cortocircuitos o transitorios de arranque. El AOTL037V60DE2, disponible en encapsulado TOLL, presenta un RDS(ON) máximo de 37 mili-ohmios. En evaluaciones realizadas por el equipo de ingeniería de aplicaciones de AOS, la robustez del diodo de cuerpo de este MOSFET αMOS E2™ demostró poder soportar di/dt = 1300 A/µs bajo condiciones específicas de corriente directa (IF) a una temperatura de unión de 150 °C. Además, las pruebas de AOS confirmaron que el AOTL037V60DE2 ofrecía una capacidad superior de Avalanche Unclamped Inductive Switching (UIS) y un mayor tiempo de resistencia a cortocircuitos (SCWT) en comparación con MOSFETs competidores. Esta robustez mejorada se traduce en una mayor fiabilidad a nivel de sistema, garantizando un rendimiento sólido incluso en escenarios de operación anormales.
“Diseñamos esta plataforma y el primer MOSFET de alto voltaje para cubrir las necesidades de fuentes de alimentación AC/DC tradicionales, así como convertidores DC/DC e inversores DC/AC, donde lograr alta densidad de potencia y eficiencia sigue siendo un desafío crítico. Gracias a la amplia experiencia en ingeniería de MOSFET de AOS, sabemos que las capacidades innovadoras de la plataforma αMOS E2™ High-Voltage Super Junction MOSFET y del AOTL037V60DE2 resuelven estos desafíos, permitiendo a los diseñadores de aplicaciones de potencia de media a alta potencia, inversores solares y convertidores DC/DC cumplir eficazmente con las demandas actuales y futuras de eficiencia energética, durabilidad y reducción de costes”, afirmó Simon Yu, Gerente Senior de Línea de Producto de AOS.
Aspectos técnicos destacados:
Optimizado para topologías de conmutación suave con pérdidas de conmutación excepcionalmente bajas
Diodo de cuerpo robusto con Qrr reducido para aplicaciones exigentes y de alto estrés
Robustez mejorada con fuerte UIS, manejo de corriente de irrupción y amplias capacidades de SOA
Diseñado para prevenir el auto-encendido, asegurando operación fiable bajo condiciones dinámicas
Adecuado para aplicaciones Totem Pole PFC, LLC, PSFB y CrCM H-4/Ciclo Inversor
Disponibilidad y precios:
El AOTL037V60DE2 (600V 37mΩ TOLL) está disponible en cantidades de producción con un plazo de entrega de 16 semanas. El precio unitario para pedidos de 1.000 piezas es de $5,58
