Los módulos Vishay Semiconductors VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 y VS-SF200SA120 incorporan la última generación de MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de Vishay en el encapsulado estándar de la industria SOT-227.
Disponibles en configuraciones de interruptor único y chopper de bajo lado, cada módulo de potencia cuenta con un MOSFET SiC integrado con un diodo de cuerpo suave que ofrece baja recuperación inversa. Esto se traduce en menores pérdidas por conmutación y mayor eficiencia en inversores solares; cargadores externos para vehículos eléctricos (EV); fuentes conmutadas (SMPS), convertidores DC/DC, sistemas SAI y HVAC; sistemas de almacenamiento de baterías a gran escala; y fuentes de alimentación para telecomunicaciones.
El compacto encapsulado SOT-227 de los VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 y VS-SF200SA120 permite que los dispositivos se utilicen como reemplazos directos de soluciones competidoras en diseños existentes, permitiendo a los diseñadores adoptar una de las tecnologías SiC más recientes sin la necesidad de modificar el diseño de la PCB. Además, el encapsulado moldeado ofrece aislamiento eléctrico de hasta 2500 V durante un minuto, reduciendo costes al eliminar la necesidad de aislamiento adicional entre el componente y el disipador de calor.
Los módulos de potencia proporcionan una corriente de drenaje continua de 50 A a 200 A y una baja resistencia a la conducción de hasta 12,1 mΩ. Los dispositivos cumplen con RoHS, ofrecen conmutación de alta velocidad con baja capacitancia y soportan una alta temperatura máxima de unión de +175 °C.
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