Resonanzkreise und Snubber sind für eine effiziente Leistungsumwandlung und die Unterdrückung von Strom- und Spannungsspitzen unerlässlich. In beiden Schaltungen kann die wiederholte Einwirkung von hohen Spannungen und Strömen selbst geringfügige Veränderungen der Bauteilleistung hervorrufen, was zu Effizienzverlusten, erhöhter Wärmeentwicklung und potenziell zu Fehlfunktionen oder Ausfällen führen kann. Aktuelle Entwicklungen zeigen zudem einen Wandel bei den Schaltelementen für Stromversorgungen von Silizium-MOSFETs hin zu Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs), die eine höhere Effizienz und schnellere Schaltzeiten bieten. Anwendungen mit SiC-MOSFETs erfordern Durchbruchspannungen von 1,2 kV, wodurch die Nachfrage nach Kondensatoren mit Nennwerten über dieser Spezifikation steigt. Daher benötigen diese Anwendungen Kondensatoren, die über einen weiten Temperaturbereich eine stabile Leistung erbringen, Leistungsverluste minimieren und hohen Betriebsspannungen standhalten.
Durch die Nutzung von Muratas firmeneigenen Keramik- und Elektrodenmaterialien, Dünnschicht-Formtechnologie und hochpräziser Schichttechnologie erfüllt der neue 1,25-kV-MLCC diese Anforderungen und ist mit den neuesten SiC-MOSFET-Technologien kompatibel. Die inhärenten Vorteile von C0G, konform mit den EIA-Standards (geringe Verluste und stabile Kapazität im Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +125 °C), machen das neue Produkt ideal für den Einsatz in Resonanz- und Snubber-Schaltungen. Für eine größere Designflexibilität reicht der Kapazitätsbereich von 4,7 nF bis 15 nF mit einer Toleranz von ±1 % bis ±5 %.
