Die neue Serie eröffnet damit neue Wachstumschancen und positioniert sich als ideale Wahl für Anwendungen mit schnellem Start in Bereichen wie Sicherheit, Industrie und IoT.
Der Hochgeschwindigkeits-QSPI-NAND-Flash-Speicher der GD5F1GM9-Serie wird im 24-nm-Verfahren gefertigt. Die Serie unterstützt Betriebsspannungen von 3 V und 1,8 V und bietet verschiedene Hochgeschwindigkeits-Lesemodi: Kontinuierliches Lesen, Cache-Lesen und Automatisches Laden der nächsten Seite. Die neu hinzugefügten Modi „Kontinuierliches Lesen“ und „Automatisches Laden der nächsten Seite“ bieten Anwendern mehr Flexibilität beim schnellen Zugriff auf Code und Daten. Darüber hinaus ist ein neuartiges Parallelrechnersystem in das ECC-Design (Fehlerkorrekturcode) integriert, das die herkömmliche serielle Methode ersetzt und die Verarbeitungszeit des integrierten ECC deutlich reduziert.
Die 3-V-Version der Serie erreicht im Modus „Kontinuierliches Lesen“ Geschwindigkeiten von bis zu 83 MB/s bei einer maximalen Frequenz von 166 MHz, während die 1,8-V-Version 66 MB/s bei 133 MHz erreicht. Diese Werte, die bis zu dreimal schneller sind als bei herkömmlichen SPI-NAND-Produkten mit der gleichen Frequenz, ermöglichen einen verbesserten Datenzugriff, verkürzte Systemstartzeiten und einen geringeren Gesamtstromverbrauch.
Das Vorhandensein werkseitig defekter Speicherblöcke ist ein systembedingtes Problem der NAND-Flash-Technologie. Um dem entgegenzuwirken, verfügt die GD5F1GM9-Serie über Bad Block Management (BBM). Diese Funktion gewährleistet den Zugriff auf den gesamten Speicherbereich mit einem einzigen Befehl, da BBM die Adressen defekter Blöcke dynamisch gültigen Blöcken zuordnet und fehlerhafte Blöcke automatisch überspringt. Die ersten 256 Blöcke der GD5F1GM9-Serie sind garantiert ab Werk voll funktionsfähig. Obwohl werkseitig defekte Blöcke vorhanden sein und während des Betriebs neue defekte Blöcke auftreten können, erstellt die BBM-Funktion Verknüpfungen zwischen logischen und physischen Adressen, wodurch die Umverteilung und der Austausch problematischer Blöcke ermöglicht werden. Das Gerät unterstützt bis zu 20 Suchverknüpfungen in der BBM-Tabelle.
Die GD5F1GM9-Serie bietet eine Kapazität von 1 Gb und zwei Betriebsoptionen bei 3 V und 1,8 V. Sie ist in verschiedenen Gehäuseformaten erhältlich, darunter 8 × 6 mm WSON8, 6 × 5 mm WSON8 und BGA24 mit einem 5 × 5-Ball-Array.
