Basierend auf seiner unabhängigen Schaltungs-, IC- und Prozessplattform hat MORNSUN, vertrieben von Mecter, die dritte Generation der DC/DC-Wandler der Serien QA-R3/QA_C-R3 speziell für IGBT/SiC-MOSFET-Treiber auf den Markt gebracht. Die Serien QA_H-R3/QA_HC-R3 zeichnen sich durch eine für 1700-V-Systemspannungen geeignete Kriechstrecke aus und sind somit optimale und zuverlässige DC/DC-Wandler für Antriebslösungen.
Vorteile
Isolationsspannung: 5000 VAC, verstärkte Isolierung.
Basierend auf dem unabhängigen IC-Design von MORNSUN erreicht die Isolationsspannung der R3-Serie 5000 VAC, was höher ist als bei herkömmlichen Produkten auf dem Markt (3750 VAC) und die Anforderungen an eine verstärkte Isolierung erfüllt. Die Gesamtzuverlässigkeit wurde erheblich verbessert.
Als zentrale Halbleiterbauelemente werden die meisten handelsüblichen IGBT/SiC-MOSFETs in Mittel- und Niederspannungsanwendungen mit Betriebsspannungen von 650 V/900 V/1200 V/1700 V eingesetzt.
Gemäß IEC 61800-5-1 zeichnet sich die Serie R3 durch eine Dauerentladespannung von bis zu 1700 V aus und kann daher für IGBT/SiC-MOSFETs mit Betriebsspannungen unter 1700 V verwendet werden. Die Leckstromdistanz der Bauelemente QA_H-R3/QA_HC-R3 beträgt mehr als 14,14 mm.
Im Vergleich zur R1-Serie bietet die R3-Serie folgende optimierte Leistungsmerkmale:
1. Erhöhter Wirkungsgrad: 80 % → 87 %
2. Reduzierte Restwelligkeit: 75 mVpp → 50 mVpp
3. Erhöhte kapazitive Last: 220 µF → 2200 µF
4. Verbesserte ESD-Festigkeit: ±6 kV → ±8 kV
5. Reduzierte Isolationskapazität: 6,6 pF → 3,5 pF
Anwendungsbereiche:
Die QA-R3/QA_C-R3-Serie findet breite Anwendung in IGBT/SiC-MOSFET-Treiberlösungen für Photovoltaik-Wechselrichter, Motorsteuerungen und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge.
Am Beispiel des PV-SVG-Systems zeigt sich, dass sie die Stromversorgung des Treiberchips übernimmt und so den effizienten Betrieb des IGBT/SiC-MOSFET ermöglicht.
Merkmale
• Isolationsspannung: 5000 V AC (verstärkte Isolierung).
• Dauersperrspannung: 1700 V.
• Wirkungsgrad bis zu 87 %.
• Kompaktes SIP-Gehäuse.
• Maximale kapazitive Last: 2200 µF.
• Extrem niedrige Isolationskapazität: 3,5 pF (typisch).
• Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +105 °C.
