Diese Treiber ergänzen SiC-basierte IGBT- und MOSFET-Hochspannungs-Gate-Treiber für industrielle Anwendungen, Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien und Mobilität. Sie sind in Eingangsversionen für gängige 5-V- (in Entwicklung), 12-V- und 15-V-Netzspannungen erhältlich und verfügen über bipolare Ausgänge von +15 V/-5 V, +15 V/-9 V und +20 V/-5 V.
Die neuen MGJ2 DC/DC-Wandler zeichnen sich durch eine extrem niedrige Isolationskapazität von nur 3 pF (typisch) aus. Dies trägt zur Reduzierung transienter Kopplungen über die Isolationsbarriere bei und verhindert EMV-Probleme durch Ausgleichsströme, die von hochfrequenten Signalen erzeugt werden. Dank ihrer charakteristischen Teilentladungsfestigkeit können hohe Betriebspegel auch unter den anspruchsvollen Bedingungen von Hochspannungsanwendungen aufrechterhalten werden. Darüber hinaus ermöglicht die Gleichtakt-Impulsfestigkeit (CMTI) von über 200 kV/µs die Verarbeitung hoher Schaltfrequenzen.
Zu den weiteren Hauptmerkmalen der MGJ2-Einheiten gehören eine durchgehende Barriere, die Spannungen bis zu 2,5 kV standhält (auch auf 5,7 kVDC für 1 Minute geprüft), sowie Kriech- und Trennstrecken von 9 mm. Sie unterstützen einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +100 °C und verfügen über integrierte Kurzschlussschutzmechanismen. Die Einhaltung der Norm UL62368 (für verstärkte 250-VAC-Isolierung) ist bereits gewährleistet, die Zertifizierung nach ANSI/AAMI ES60601-1 ist beantragt.
Diese Umrichter sind für den Einsatz in industriellen Motorantrieben, Wechselrichtern für Solar- und Windkraftanlagen, unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen (USV) und Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge konzipiert.
