Le nouveau G3VM-61MT présente un courant de charge de 800 mA, tandis que le G3VM-101MT offre une tension de charge de 100 V. Tous deux sont compatibles avec le G3VM-21MT à haute isolation. Le faible courant de fuite de ces composants est obtenu grâce à une structure de circuit en T unique* qui dérive la majeure partie du courant de fuite vers la masse.
Ces modules sont particulièrement adaptés aux mesures de précision dans tous types d'équipements de test où des relais mécaniques étaient auparavant utilisés en raison de leur faible courant de fuite. Cependant, la durée de vie de ces relais est bien plus courte, l'abrasion des contacts réduisant la précision des mesures au fil du temps. En cas d'utilisation intensive, des remplacements fréquents peuvent s'avérer nécessaires, augmentant ainsi les coûts de maintenance.
La taille compacte de 5 mm × 3,75 mm × 2,7 mm est rendue possible par le circuit en T intégré. Ces composants CMS sont fournis SPST et ne nécessitent aucune configuration. Les caractéristiques de charge électrique des nouveaux appareils sont de 800 mA / 60 V pour le G3VM-61MT et de 550 mA / 100 V pour le G3VM-101MT. Le G3VM-21MT se caractérise par une isolation exceptionnelle inférieure à -30 dB à 1 GHz avec des valeurs nominales de 200 mA / 20 V.
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- Catégorie : Électromécanique
Modules de relais MOSFET à faibles courants de fuite
Omron Electronic Components Europe a annoncé de nouvelles versions haute tension et haute intensité de ses modules relais MOSFET en configuration T. Ces modules présentent un faible courant de fuite, inférieur ou égal à 1 pA, ce qui les rend adaptés aux applications de mesure et autres applications qui nécessitaient auparavant des relais mécaniques.
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