Nexperia propose des familles d'ASFET pour l'isolation des batteries, la commande de moteurs, le remplacement à chaud et l'alimentation par Ethernet (PoE). Les améliorations spécifiques apportées par ces ASFET personnalisés sont adaptées à chaque application ; par exemple, la zone de fonctionnement sécuritaire (SOA) peut être multipliée par 3 à 5 pour les applications de remplacement à chaud, et les courants de crête peuvent dépasser 300 A pour les applications de moteurs.
Selon Chris Boyce, directeur principal du groupe MOSFET de puissance chez Nexperia : « Alors que les concepteurs repoussent les limites de la performance, il est crucial de comprendre comment le MOSFET sera utilisé dans l’application. Une fiche technique MOSFET standard comporte plus de 100 paramètres, mais généralement seuls quelques-uns sont critiques pour chaque projet. Cependant, les paramètres critiques évoluent avec les applications. Chez Nexperia, nous déterminons la performance de chaque élément de nos produits : la technologie de silicium de base, la conception de la puce, le conditionnement, ainsi que les procédures de fabrication et de test. En plaçant les exigences spécifiques de chaque application au cœur de notre réflexion, nous pouvons optimiser les paramètres les plus importants pour un cas d’utilisation particulier, souvent au détriment d’autres moins importants. En résumé, nous avons combiné notre expertise reconnue en matière de MOSFET avec une connaissance approfondie des applications afin de concevoir des produits offrant des performances maximales pour une application ou une fonctionnalité spécifique. »
La catégorie ASFET sera encore enrichie par le lancement prochain d’une nouvelle gamme de produits automobiles garantissant une résistance aux avalanches répétées pour la commande de charges inductives.
Boyce a ajouté : « Nous cherchons constamment à approfondir notre compréhension des applications spécifiques, souvent en travaillant en étroite collaboration avec nos clients. En exposant nos meilleurs ingénieurs aux exigences détaillées des applications, nous ouvrons de nouvelles perspectives d’innovation passionnantes ; de nombreuses autres avancées en matière d’ASFET sont en préparation. »
MOSFET de puissance à canal N 40 V en boîtier L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N de 40 V destinés à l’automobile, qui auront un impact significatif sur la conception des véhicules de nouvelle génération. Les modèles XPQR3004PB et XPQ1R004PB utilisent un format de boîtier innovant pour transistors de grande taille….
