Le MG1500FXF1US71 PMI (module de boîtier plastique IEGT) intègre un IEGT à canal N (transistor à grille améliorée par injection) et une diode SiC à récupération rapide (FRD) dans un boîtier d'une surface de seulement 140 mm x 190 mm.
Le nouveau module de Toshiba permettra de réaliser des économies d'énergie, d'espace et de poids, tout en réduisant le bruit acoustique dans les systèmes d'onduleurs à découpage haute puissance et de commande de moteurs. Il cible notamment les applications suivantes : traction ferroviaire, commande de moteurs industriels, systèmes d'énergies renouvelables, transport et distribution d'électricité.
L'utilisation d'une diode Schottky en carbure de silicium (SiC) réduit considérablement le courant de récupération inverse et, par conséquent, les pertes à l'amorçage, par rapport aux diodes en silicium. Grâce à l'association de cette diode et d'une conception interne optimisée du boîtier pour réduire les inductances parasites, le module MG1500FXF1US71 présente des pertes de récupération inverse jusqu'à 97 % inférieures à celles d'un module utilisant une diode en silicium classique.
Le MG1500FXF1US71 offre une tension d'isolation nominale de 6 000 V CA (valeur efficace par minute) et peut supporter un courant de coupure de collecteur de pointe de 3 000 A. La dissipation de puissance du collecteur (à 25 °C) est de 5 000 W. Une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 150 °C est compatible avec les environnements à températures étendues caractéristiques des applications cibles.
Lors du développement du module hybride 3300 V, 1500 A, celui-ci a été intégré à la conception d'un onduleur de traction ferroviaire. Son utilisation a permis de réduire de 40 % la taille globale du sous-ensemble de commande du moteur (système de refroidissement inclus). De plus, le module a contribué à réduire le bruit et à améliorer le confort de roulement.
