Les nouveaux MOSFET de puissance, caractérisés par une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)) pour réduire considérablement les pertes par conduction, sont disponibles en versions 20 V et 30 V, en configurations canal N et canal P. Conçus pour une commande de grille maximale dès 12 Vgs, ces composants sont idéaux pour les circuits de protection de batteries à deux cellules en série. L'IRL6297SD propose deux MOSFET canal N 20 V en configuration drain commun, dans un boîtier DirectFET® Small Can compact et à dissipation thermique efficace.
La vaste gamme de MOSFET de gestion de batteries d'IR est disponible en boîtiers standard ainsi qu'en boîtier DirectFET® Small Can double pour les conceptions compactes. Grâce à la faible Rds(on) de cette plateforme, ces composants peuvent remplacer des MOSFET plus volumineux, ce qui permet de gagner de la place sur la carte et de réduire les coûts du système.
Tous les composants sont conformes aux normes MSL1 et RoHS et sont exempts de plomb, de bromure et d'halogène.
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- Catégorie : Circuits intégrés
Dispositifs intégrant les MOSFET basse tension les plus avancés d'IR pour les applications de protection des batteries lithium-ion
International Rectifier a annoncé une large gamme de dispositifs intégrant ses MOSFET basse tension les plus avancés pour les applications de protection des batteries lithium-ion. Parmi eux figure le MOSFET DirectFET® à canal N double canal IRL6297SD.
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