Avec une largeur et une longueur réduites aux trois quarts de celles du boîtier TO-3P (L) précédent, il occupe moins d'espace. Les concepteurs de produits bénéficient ainsi d'une plus grande flexibilité tout en conservant une puissance de 150 W (Pc).
Le transistor 2SA1943N a un rapport de tension collecteur-émetteur maximal (VCEO) de -230 V et un rapport de courant collecteur continu (IC) de -15 A, tandis que le 2SC5200N a un VCEO maximal de 230 V et un IC de 15 A.
Le transistor 2SA1943N présente un gain en courant continu minimal, hFE(1) de 80 (VCE = -5 V et IC = -1 A) et hFE(2) de 35 (VCE = -5 V et IC = -7 A), tandis que le 2SC5200N offre un hFE(1) de 80 (VCE = 5 V et IC = 1 A) et un hFE(2) de 35 (VCE = 5 V et IC = 7 A). Un autre avantage réside dans la linéarité élevée de hFE et de VBE. Les deux composants atteignent une fréquence de transition typique (ft) de 30 MHz.
Les nouveaux dispositifs sont logés dans un nouveau boîtier TO-3P (N) mesurant seulement 15,9 mm x 40,5 mm x 4,8 mm.
