Le temps de recouvrement inverse (Trr) des diodes HSD est très peu affecté par la température, garantissant une commutation rapide sur une large plage de températures.
La TK5P60W5 (avec Id = 4,5 A et RDS (on) = 0,99 Ω) est conditionnée dans le plus petit boîtier de la série, un boîtier DPAK (A-252), et atteint un temps de recouvrement inverse typique de 65 ns. Sa capacité d'entrée (Ciss ) de 370 pF et un QG de seulement 11,5 nC assurent un fonctionnement efficace.
La nouvelle TK62N60W5 ( RDS(on ) : 0,045 Ω) est le MOSFET le plus grand de la série, conditionné dans un boîtier TO-247 à 3 broches, et supporte la puissance de sortie la plus élevée, Id = 61,8 A. Elle atteint un temps de réponse (Tr) typique de la diode de 17 ns, une capacité (C<sub>iss</sub>) de 6 500 pF et un facteur de qualité (Q<sub>Gof</sub>) de 205 nC.
Les puces DTMOS IV-H sont fabriquées à l'aide de la technologie « Deep Trench » de Toshiba, qui offre une résistance à l'état passant (R<sub> DS(ON)</sub> ) plus faible à haute température que les MOSFET à superjonction classiques. Elle offre également des pertes de commutation à l'extinction (E <sub>OSS</sub> ) réduites par rapport aux générations précédentes. La combinaison d'une augmentation plus faible de R <sub>DS(ON )</sub> à haute température et d'un Trr de diode réduit permet d'obtenir un rendement accru et aide les concepteurs à minimiser la taille du système.
Des échantillons des deux dispositifs sont actuellement disponibles ; la production en série du TK62N60W5 est déjà prévue, et celle du TK5P60W5 est prévue pour octobre 2015.

Pour plus d'informations ou un devis