Comparé au boîtier TO-263-3L traditionnel, ce boîtier présente une empreinte au sol réduite de 20 % et une hauteur réduite de 45 %. Cette réduction d'encombrement améliore la densité de puissance, le rendant idéal pour les terminaux très compacts. Son excellente résistance thermique contribue à une meilleure dissipation de la chaleur, garantissant ainsi la fiabilité à long terme des composants.
Pour répondre à la demande croissante de ses clients en matière de performances, JieJie Microelectronics a lancé les séries de transistors JSFET® à canal N JMSH1001ATL (VDS_MIN=100 V) et JMSH1504ATL (VDS_MIN=150 V), bénéficiant de droits de propriété intellectuelle indépendants. Ces deux modèles sont conçus avec le boîtier avancé PowerJE® 10x12. Sous une tension VGS de 10 V, leurs valeurs typiques de RDS(ON) et de FOM sont respectivement de 1,3 mΩ / 202 (JMSH1001ATL) et de 3,3 mΩ / 290 (JMSH1504ATL). En termes de propriétés électriques, le JMSH1001ATL surpasse la concurrence en Chine et offre des performances comparables à celles de produits similaires en Europe, aux États-Unis et au Japon. De plus, sa linéarité et sa zone de fonctionnement sécurisée (SOA) garantissent un fonctionnement sûr et fiable, même sous courant élevé. La très faible résistance contribue à améliorer l'efficacité opérationnelle, à réduire les coûts du système et à prolonger la durée de vie des appareils. Ces deux produits trouvent de nombreuses applications dans l'outillage électroportatif, les véhicules électriques légers, les onduleurs de stockage d'énergie photovoltaïque, les communications 5G et PoE++, ainsi que dans d'autres terminaux.
Nick Zhang, responsable de la division automobile chez JieJie Microelectronics, a déclaré : « Conçu par l’équipe de recherche et développement de JieJie Microelectronics, fabriqué dans des usines certifiées IATF 16949 et soumis aux tests d’assemblage PowerJE® 10x12 sur le système automobile avancé de JieJie Microelectronics, le JMSH1001ATL présente des propriétés électriques comparables à celles des produits des principaux fabricants internationaux de semi-conducteurs IDM, contribuant ainsi au développement de la production locale de produits similaires haut de gamme. Grâce à son excellente conductivité thermique et à sa faible inductance parasite, ce composant est conçu pour supporter un courant jusqu’à 411 A, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant un encombrement minimal dans la nomenclature, des performances électriques optimales et une fiabilité à long terme. »
Ces deux produits sont fabriqués en série. Des échantillons sont disponibles auprès du service commercial de JJM, des agents agréés ou des canaux de distribution partenaires. Les spécifications techniques et les données de conception des circuits des systèmes auxiliaires, y compris le schéma d'encapsulation (POD) et les modèles de simulation H-Spice et P-Spice, peuvent être consultées ou téléchargées directement sur le site web officiel : POD (Schéma d'encapsulation).
