Grâce à l'utilisation de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) et d'IGBT en silicium, les panneaux offrent un rendement élevé, une taille réduite et des onduleurs plus légers. Les modules sont conçus pour des fréquences de commutation typiques supérieures à 20 kHz.
Les nouveaux modules de puissance hybrides SiC sont encapsulés en configurations 2-en-1 de 1 200 V et de courants de 100 A (CMH100DY-24NFH), 150 A (CMH150DY-24NFH), 200 A (CMH200DU-24NFH), 300 A (CMH300DU-24NFH), 400 A (CMH400DU-24NFH) ou 600 A (CMH600DU-24NFH). Tous les modules sont compatibles avec les modules de puissance conventionnels à base de silicium pur de Mitsubishi Electric. Les modules de 100 A et 150 A, intégrés dans un boîtier de 48 mm × 94 mm, présentent une inductance interne réduite d’environ 30 % par rapport aux modules conventionnels. Les modules 200 A et 300 A mesurent 62 mm x 108 mm, tandis que les modules 400 A et 600 A ne nécessitent que 80 mm x 110 mm d'espace sur la carte mère. Ils sont notamment utilisés dans les alimentations sans interruption (ASI) et les alimentations pour dispositifs médicaux.
À propos de Mitsubishi Electric :
Forte de plus de 90 ans d’expérience dans la fourniture de produits fiables et de haute qualité aux entreprises et aux particuliers du monde entier, Mitsubishi Electric Corporation est un leader mondial reconnu dans la fabrication, la commercialisation et la vente d’équipements électriques et électroniques utilisés dans le traitement de l’information et des communications, le développement des communications spatiales et par satellite, l’électronique grand public, les technologies industrielles, l’énergie, les équipements de transport et la construction.
L’entreprise, qui emploie environ 121 000 personnes, a réalisé un chiffre d’affaires consolidé de 29,5 millions d’euros* pour l’exercice clos le 31 mars 2013.
