La série SCT3xxx xR utilise un boîtier à 4 broches (TO-247-4L) qui optimise les performances de commutation, réduisant les pertes de commutation jusqu'à 35 % par rapport aux boîtiers à 3 broches classiques (TO-247N). Ceci contribue à une consommation d'énergie réduite dans une large gamme d'applications.
Ces dernières années, le besoin croissant de services cloud, alimenté par la prolifération de l'IA et de l'IoT, a entraîné une forte augmentation de la demande en centres de données à l'échelle mondiale. Or, pour les serveurs utilisés dans ces centres, l'un des principaux défis consiste à réduire la consommation d'énergie tout en augmentant la capacité et les performances. Parallèlement, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) gagnent en popularité grâce à leurs pertes plus faibles que celles des dispositifs en silicium classiques dans les circuits de conversion de puissance des serveurs. De plus, le boîtier TO-247-4L, qui réduit les pertes de commutation par rapport aux boîtiers conventionnels, devrait être largement adopté dans les applications hautes performances telles que les serveurs, les stations de base et les systèmes de production d'énergie solaire.
En 2015, ROHM est devenu le premier fournisseur à produire en série des MOSFET SiC à grille en tranchée et continue de jouer un rôle de premier plan dans le développement de produits. Outre ces nouveaux MOSFET SiC 650 V/1200 V à haut rendement, nous nous engageons à développer des dispositifs innovants et à fournir des solutions permettant de réduire la consommation d'énergie dans une large gamme d'appareils, notamment des circuits intégrés de commande de grille optimisés pour les transistors SiC.
ROHM propose également des solutions facilitant l'évaluation des applications, notamment une carte d'évaluation SiC MOSFET, P02SCT3040KR-EVK-001, équipée de circuits intégrés de commande de grille (BM6101FV-C) ainsi que de circuits intégrés d'alimentation et de composants discrets optimisés pour l'unité de dispositif SiC.
Caractéristiques principales :
Le boîtier à 4 broches (TO-247-4L) réduit les pertes de commutation jusqu’à 35 %.
Avec les boîtiers classiques à 3 broches (TO-247N), la tension de grille effective sur la puce est réduite en raison de la chute de tension due à l’inductance parasite de la source, ce qui diminue la vitesse de commutation. L’utilisation du boîtier TO-247-4L à 4 broches permet de séparer les broches de commande et d’alimentation, minimisant ainsi l’influence de l’inductance parasite. Ceci permet d’optimiser la vitesse de commutation des MOSFET SiC et de réduire les pertes totales de commutation (à l’ouverture et à la fermeture) jusqu’à 35 % par rapport au boîtier classique.
La
série SCT3xxx xR est composée de MOSFET SiC à grille en tranchée. Six modèles sont disponibles, avec une tension de claquage de 650 V (3 produits) ou de 1 200 V (3 produits).
(Voir tableau)
Applications :
systèmes UPS, onduleurs solaires, systèmes de stockage d'énergie, bornes de recharge pour véhicules électriques, alimentation électrique pour fermes de serveurs et stations de base, et bien plus encore.
La carte d'évaluation
(P02SCT3040KR-EVK-001) est équipée de circuits intégrés de commande de grille (BM6101FV-C) optimisés pour le contrôle des dispositifs SiC, ainsi que de plusieurs circuits intégrés d'alimentation et de composants discrets supplémentaires facilitant l'évaluation et le développement d'applications. Sa compatibilité avec les boîtiers TO-247-4L et TO-247N permet d'évaluer les deux types de boîtiers dans les mêmes conditions. La carte peut être utilisée pour les tests à double impulsion, ainsi que pour l'évaluation de composants dans les circuits élévateurs, les onduleurs à deux niveaux et les circuits redresseurs abaisseurs synchrones.
