Ces MOSFET, logés dans des boîtiers compacts SOT-1118 (UDFN6), présentent une excellente dissipation thermique et une faible résistance à l'état passant [RDS(ON) = 25 mΩ (typ.) en canal N, VGS = 4,5 V]. Ces caractéristiques les rendent idéaux pour la gestion de l'alimentation et la conversion CC-CC dans divers appareils mobiles, tels que les smartphones et les tablettes. Les modèles SSM6L61NU et SSM6N61NU peuvent également être utilisés pour la gestion de batteries et la commutation de charges dans les applications dotées d'interfaces USB Type-C.
Avec une résistance à l'état passant en canal N de 25 mΩ, une valeur de référence sur le marché[1], ces nouveaux MOSFET contribuent à réduire les pertes d'énergie dans les alimentations et à prolonger l'autonomie des appareils alimentés par batterie. Le SSM6L61NU est un composant complémentaire, tandis que le SSM6N61NU est un composant double canal N. Dans les applications USB Type-C, les SSM6L61NU et SSM6N61NU peuvent être placés entre la tension de sortie (Vout) du circuit intégré de gestion de l'alimentation et le SoC, ou à tout autre endroit du circuit.
Leur conception compacte (2 mm x 2 mm) améliore le rendement de dissipation de puissance (PD = 1 W) et réduit l'encombrement des MOSFET de 50 % par rapport à un boîtier PS-8.
[1] Comparé à un N-ch d'un produit encapsulé UDFN6, selon une enquête menée par Toshiba (en novembre 2015).
