Le nouveau produit, « TK55S10N1 », offre une faible résistance à l'amorçage grâce à l'association d'une puce de la série « U-MOS VIII-H », fabriquée selon le procédé MOS à tranchée de huitième génération, et d'un boîtier « DPAK+ » équipé de connecteurs en cuivre. Ce produit est particulièrement adapté aux applications automobiles, notamment celles nécessitant une commutation rapide, comme les régulateurs à découpage. Des échantillons sont disponibles dès maintenant et la production en série devrait débuter en avril 2013.
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- Catégorie : Circuits intégrés
MOSFET de puissance à canal N 100 V à faible résistance à l'état passant pour applications automobiles.
La société Toshiba a lancé le MOSFET 100V à faible résistance à l'état passant et à faibles pertes de puissance, qui utilise le dernier procédé MOS, comme dernier ajout à sa gamme d'applications automobiles.
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