Renesas a mis au point un nouveau procédé de fabrication de plaquettes MOSFET (REXFET-1) permettant de réduire considérablement la résistance à l'état passant (la résistance entre le drain et la source lorsque le MOSFET est conducteur) de 30 %. Cette réduction de la résistance à l'état passant contribue à une diminution significative des pertes de puissance dans les applications des clients.
Le procédé REXFET-1 permet également aux nouveaux MOSFET de présenter une réduction de 10 % du facteur de qualité de grille (Qg), soit la quantité de charge nécessaire pour appliquer une tension à la grille, et une réduction de 40 % du facteur de qualité de drain (Qgd), soit la quantité de charge qui doit être injectée dans la grille pendant la phase de plateau de Miller.

Outre leurs caractéristiques électriques supérieures, les nouveaux RBA300N10EANS et RBA300N10EHPF sont disponibles en boîtiers TOLL et TOLG standard, compatibles avec les composants tiers et 50 % plus compacts que les boîtiers TO-263 traditionnels. Le boîtier TOLL offre également des bords mouillables pour l'inspection optique.