Les MOSFET NextPower 100 V sont des composants de nouvelle génération de Nexperia, recommandés pour les applications de commutation haute efficacité et haute fiabilité. Avec une résistance à l'état passant (R<sub>DS(on) </sub>) réduite de 50 % et une forte capacité de puissance en avalanche, ils sont idéaux pour les alimentations, les télécommunications et les applications industrielles, et particulièrement adaptés aux chargeurs et adaptateurs USB Type-C, ainsi qu'aux adaptateurs CC-CC 48 V. Ces dispositifs présentent de faibles pertes de diodes, avec un facteur de qualité (Q<sub>RR </sub>) aussi bas que 50 nanocoulombs (nC), ce qui se traduit par un courant de récupération inverse (I<sub>RR</sub>) et des tensions de crête (V<sub>peak</sub>) plus faibles, ainsi qu'une réduction des oscillations, permettant une optimisation du temps mort.
Commentaires de Mike Becker, chef de produit pour les MOSFET de puissance : « Le Qrr est un paramètre souvent négligé, bien qu’il puisse avoir un impact significatif sur de nombreux aspects de la conception. Un faible volume de crête réduit les interférences électromagnétiques, tandis qu’un temps mort optimisé accroît encore le rendement, ce qui est notre objectif chez Nexperia. Nous avons démontré qu’un faible Qrr est bénéfique pour ces deux fonctions. ».
Les nouveaux MOSFET NextPower 100 V sont disponibles en trois boîtiers : TO220 et I2PAK (montage traversant) et le boîtier LFPAK56 (CMS), largement reconnu. Tous les boîtiers présentent unemaximale (Tj) de 175 °C et sont entièrement conformes aux exigences de la norme IPC9592 en matière de plage de températures étendue, ce qui rend les MOSFET NextPower 100 V particulièrement adaptés aux applications de télécommunications et informatiques.
