Ce boîtier compact (14 mm x 18,5 mm) combine les avantages du montage CMS et l'efficacité de refroidissement de la technologie traversante, garantissant une dissipation thermique optimale. Ce lancement répond à la demande croissante d'une large gamme d'applications industrielles (à base de MOSFET SiC discrets) de forte puissance, tirant parti d'un refroidissement supérieur pour offrir des performances thermiques exceptionnelles. Ces transistors sont parfaitement adaptés aux applications industrielles telles que les systèmes de stockage d'énergie par batterie (BESS), les onduleurs photovoltaïques, les variateurs de vitesse et les alimentations sans interruption (ASI). Ils conviennent également aux infrastructures de recharge pour véhicules électriques, notamment les bornes de recharge.
Le boîtier X.PAK améliore encore les performances thermiques des MOSFET SiC de Nexperia en réduisant les effets néfastes de la dissipation thermique à travers le circuit imprimé. De plus, il permet une faible inductance pour les composants CMS et facilite l'assemblage automatisé des cartes.
Les nouveaux dispositifs en boîtier X.PAK offrent les meilleures performances connues pour les MOSFET SiC de Nexperia, la RDS(on) étant un paramètre particulièrement critique en raison de son impact sur les pertes par conduction. Or, de nombreux fabricants se concentrent sur la valeur nominale de ce paramètre et négligent le fait qu'elle peut augmenter de plus de 100 % lorsque la température de fonctionnement du dispositif s'élève, entraînant des pertes par conduction importantes. Les MOSFET SiC de Nexperia, quant à eux, offrent une stabilité thermique de pointe, avec une valeur nominale de RDS(on) qui n'augmente que de 38 % sur une plage de températures de fonctionnement de 25 °C à 175 °C.
« L’introduction de nos MOSFET SiC en boîtier X.PAK représente une avancée significative en matière de gestion thermique et de densité de puissance pour les applications haute puissance », déclare Katrin Feurle, directrice principale et responsable des modules et composants SiC discrets chez Nexperia. « Cette nouvelle option de refroidissement par le haut s’appuie sur le succès de nos lancements de MOSFET SiC discrets en boîtiers TO-247 et SMD D2PAK-7. Elle souligne l’engagement de Nexperia à fournir à ses clients le portefeuille le plus avancé et le plus flexible pour répondre à l’évolution de leurs besoins de conception. ».
Le portefeuille initial comprend des produits avec des valeurs RDS(on) de 30, 40 et 60 mΩ (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0), et un produit de 17 mΩ sera lancé en avril 2025. Plus tard en 2025, un portefeuille de MOSFET SiC automobiles en boîtiers X.PAK sera lancé, ainsi que d'autres classes RDS(on) telles que 80 mΩ.
