Ces dispositifs sont 100 % compatibles avec l'empreinte standard Power-SO8 de l'industrie ; aucun autre dispositif compact à montage en surface ne répond encore à la norme UL2595, qui exige des distances d'isolation et des distances de fuite minimales de 1,5 mm entre les bornes Source et Drain.
Contrairement à certains boîtiers Power-SO8 concurrents, construits par liaisons câblées, le boîtier LFPAK56 de Nexperia utilise une bride en cuivre soudée directement sur la puce en une seule opération. Cette conception réduit la résistance de fuite et confère au LFPAK56 des caractéristiques électriques et thermiques supérieures, ainsi qu'une fiabilité accrue. Les nouveaux MOSFET à canal N PSMN0R9-30ULD et PSMN1R0-40ULD, en boîtier SOT1023A amélioré, présentent une distance de fuite de 1,5 mm et un espacement de 1,55 mm. Le PSMN0R9-30ULD fonctionne sous 30 V et délivre une résistance de 0,87 mΩ et un courant de 300 A, tandis que le PSMN1R0-40ULD fonctionne sous 40 V et délivre une résistance de 1,1 mΩ et un courant de 280 A.
Selon Eric Su, directeur international du marketing produit : « La norme UL2595 est une norme américaine importante qui pourrait être adoptée par d’autres organismes de réglementation internationaux. De plus, les fabricants d’équipements privilégient la conception d’un produit global conforme aux normes les plus exigeantes, plutôt que de proposer plusieurs versions pour différentes zones géographiques. Il est donc important que les concepteurs sachent que les dispositifs Power-SO8 standard ne sont pas conformes à la norme UL2595, mais qu’une solution de remplacement adaptée est disponible. ».
Les MOSFET PSMN0R9-30ULD et PSMN0R9-40ULD font partie de la famille de dispositifs NextPowerS3 de Nexperia qui offre une combinaison de faible RDS (on), de courant de crête élevé et de zone de fonctionnement sûre (SOA), parfaite pour les applications de contrôle de moteur à batterie.
