De plus, ces nouveaux dispositifs offrent des performances améliorées en modes avalanche et linéaire, garantissant une robustesse et une fiabilité accrues.
Neil Massey, responsable marketing produit chez Nexperia, explique : « Les nouveaux MOSFET LFPAK88 de 8 x 8 mm associent la toute dernière technologie de silicium à superjonction haute performance à notre technologie éprouvée de clips en cuivre LFPAK, reconnue pour ses performances électriques et thermiques nettement supérieures. La faible résistance RDS qui en résulte nous permet d’intégrer davantage de silicium dans le boîtier, améliorant ainsi la densité de puissance et réduisant l’encombrement. »
Mesurant seulement 8 x 8 x 1,7 mm, ces nouveaux MOSFET de puissance présentent également des caractéristiques de mode linéaire et de zone de fonctionnement sûre (SOA) exceptionnelles, assurant une commutation sûre et fiable même sous courant élevé. La SOA, sous 1 ms et 20 VDS, atteint 35 A grâce à la combinaison du silicium et du boîtier, tandis qu’à 10 ms et 20 VDS, où le boîtier est prépondérant, la SOA est de 17 A. Ces valeurs sont 1,5 à 2 fois supérieures à celles de la concurrence. Ces dispositifs offrent également la meilleure capacité d'avalanche à impulsion unique (EAS) de 2,3 J et un courant de fuite à la terre (ID) très élevé de 500 A, une limite mesurée et non théorique, contrairement à certains dispositifs concurrents.
Grâce à leur format compact et à leurs performances supérieures, les MOSFET LFPAK88 de 8 x 8 mm de Nexperia permettent aux concepteurs de remplacer deux composants plus anciens en parallèle par un seul LFPAK88, simplifiant ainsi la fabrication et améliorant la fiabilité. Les composants BUK7S0R5-40H, conformes à la norme AEC-Q101 et offrant une fiabilité plus de deux fois supérieure à celle de la norme automobile, conviennent aux applications de freinage, de direction assistée, de protection contre l'inversion de polarité des batteries, de fusibles électroniques, de convertisseurs CC-CC et de commande de moteurs. Les MOSFET industriels PSMNR55-40SSH sont adaptés à l'isolation des batteries, à la limitation de courant, aux fusibles électroniques, à la commande de moteurs, au redressement synchrone et à la commutation de charge dans les outils électriques, les appareils électroménagers, les ventilateurs, ainsi que les vélos, scooters et fauteuils roulants électriques.
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- Catégorie : Circuits intégrés
MOSFETs Nexperia 40 V à faible RDS(on) avec la plus haute densité de puissance pour les applications industrielles et automobiles
Nexperia a annoncé aujourd'hui de nouveaux MOSFET de puissance 40 V à RDS (on) de 0,55 mΩ, conditionnés dans le boîtier LFPAK88 haute fiabilité, pour les applications automobiles (BUK7S0R5-40H) et industrielles (PSMNR55-40SSH). Ces composants présentent la plus faible RDS (on) 40 V jamais fabriquée par Nexperia et, surtout, offrent une densité de puissance plus de 50 fois supérieure à celle des composants D2PAK traditionnels.
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