Ces dernières années, en raison de la demande croissante de systèmes serveurs liée à l'augmentation du nombre d'objets connectés, l'amélioration de l'efficacité de la conversion d'énergie et la réduction de la taille sont devenues des enjeux sociétaux importants nécessitant de nouvelles avancées dans le secteur des dispositifs d'alimentation.
Outre la production en série de dispositifs SiC de pointe et d'une large gamme de dispositifs multifonctionnels en silicium, ROHM a développé des dispositifs GaN offrant un fonctionnement haute fréquence supérieur dans la gamme des moyennes tensions. Le développement d'une technologie permettant d'augmenter la tension grille-source admissible permet à ROHM de proposer une gamme plus étendue de solutions d'alimentation pour une grande variété d'applications.
Les dispositifs GaN, grâce à leurs caractéristiques de commutation améliorées et à leur résistance de conduction plus faible que les dispositifs en silicium, devraient contribuer à réduire la consommation d'énergie et à miniaturiser davantage les alimentations à découpage utilisées dans les stations de base et les centres de données. Cependant, certains inconvénients, tels qu'une faible tension grille-source nominale et des surtensions dépassant la capacité maximale lors de la commutation, constituent des défis importants pour la fiabilité de ces dispositifs.
Pour relever ces défis, ROHM est parvenu à augmenter la tension grille-source nominale de 6 V à 8 V grâce à une conception originale. Ceci permet d'améliorer la marge de conception et la fiabilité des circuits d'alimentation utilisant des dispositifs GaN exigeant un rendement élevé. Outre l'optimisation des performances du dispositif grâce à une faible inductance parasite, nous développons également un boîtier sur mesure qui simplifie l'assemblage et offre une excellente dissipation thermique, facilitant ainsi le remplacement des dispositifs en silicium existants et simplifiant leur manipulation lors de l'assemblage.
À l'avenir, ROHM accélérera le développement de dispositifs GaN basés sur cette technologie, avec une livraison d'échantillons prévue pour septembre 2021.
(Fig. 2+ 3)
Exemples d'application
: - Circuits convertisseurs abaisseurs d'entrée 48 V pour centres de données et stations de base
- Circuits convertisseurs élévateurs pour le bloc amplificateur de puissance des stations de base
- Amplificateurs audio de classe D
- Circuits de commande LiDAR et circuits de charge sans fil pour appareils portables
(Fig. 4)
