Ces dispositifs sont fabriqués selon un procédé CMOS 180 nm utilisant des techniques propriétaires de renforcement de la résistance aux radiations, ce qui leur confère une haute résistance aux effets d'événements uniques (SEE) et une dose ionisante totale (TID) jusqu'à 30 krad (Si). Ces caractéristiques les rendent idéaux pour les petits satellites et les constellations LEO exigeant des performances élevées, un format compact et une grande résistance aux radiations à moindre coût, ainsi que pour d'autres applications où cette résistance est essentielle, comme l'imagerie médicale. Les arbitres à double entrée AP54RHC288, renforcés contre les radiations, protègent les applications critiques en garantissant qu'une seule sortie soit à l'état haut sur chaque canal, quel que soit l'état du signal aux entrées.
Les portes OU exclusif quadruples (XOR) à deux entrées, durcies aux radiations AP54RHC86, intègrent une triple redondance pour une fiabilité accrue et une conversion de niveau logique vers VCC. L'inverseur hexagonal durci aux radiations AP54RHC04, disponible sur demande, est doté d'une fonction brevetée d'économie d'énergie à froid sans pénalité de consommation statique et d'une triple redondance intégrée pour une fiabilité accrue. Les registres à décalage SIPO (entrées parallèles, sorties série) durcis aux radiations AP54RHC164 intègrent un étage de sortie breveté permettant des configurations d'économie d'énergie à froid en évitant les pénalités de courant de fuite sur les entrées et les sorties lorsqu'elles sont à l'état bas. Ces composants conviennent également aux applications aérospatiales, énergétiques et autres environnements difficiles.
