Ces dispositifs utilisent le procédé SOI propriétaire de Toshiba (TarfSOI™) pour atteindre une bande passante différentielle typique de -3 dB à 29 GHz pour le TDS5B212MX et de 34 GHz pour le TDS5C212MX. Ces larges bandes passantes réduisent la distorsion du signal et améliorent la fiabilité de la transmission de données à haut débit. De plus, les deux produits bénéficient d'une conception optimisée des broches pour améliorer les performances à haute fréquence. Plus précisément, le TDS5C212MX minimise la longueur du trajet du signal afin de réduire les réflexions et les pertes de transmission, améliorant ainsi l'intégrité du signal à haut débit.

Ces dispositifs peuvent être utilisés comme multiplexeurs (Mux) à 2 entrées et 1 sortie ou comme démultiplexeurs (DeMux) à 1 entrée et 2 sorties, et prennent en charge des débits de données jusqu'à 64 GT/s pour les interfaces différentielles haut débit, notamment PCIe® 6.0, USB4® version 2.0, CXL™ 3.x, Thunderbolt™ 5 et DisplayPort™ 2.0. Ils sont également rétrocompatibles avec les normes d'interface existantes. Ces dispositifs permettent un partage flexible d'une interface haut débit unique entre plusieurs appareils et une commutation dynamique du chemin du signal en fonction des besoins du système.

Logés dans un boîtier XQFN16 (2,4 mm × 1,6 mm × 0,4 mm), ces produits conviennent aux applications haute densité, telles que les smartphones et les objets connectés. De plus, leur plage de températures de fonctionnement, de -40 °C à +125 °C, les rend idéaux pour les applications industrielles à espace restreint.