Les nouveaux dispositifs PQFN2x2, caractérisés par leur encombrement de seulement 4 mm2Ils sont disponibles pour des tensions de 20 V, 25 V et 30 V, avec un contrôle de niveau logique ou de port standard, et utilisent les technologies de silicium basse tension les plus avancées d'IR pour les canaux N et P afin d'offrir une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et une densité de puissance élevée, conformément à un boîtier PQFN3.3x3.3 ou PQFN5x6.
La famille PQFN2x2 comprend des composants à canal P optimisés pour une utilisation côté haute tension des interrupteurs de charge, où ils offrent une solution de commande simplifiée. Ces composants, caractérisés par un profil bas inférieur à 1 mm, sont compatibles avec les techniques de montage en surface existantes, présentent un encombrement standard et sont conformes à la directive RoHS.
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- Catégorie : Discret
MOSFET de puissance IR ultra-compact PQFN2x2 pour applications basse consommation
International
Rectifier élargit son offre de boîtiers avec l'introduction d'un boîtier PQFN de 2 mm x 2 mm qui intègre la technologie silicium IR la plus avancée pour les MOSFET HEXFET®dans une solution ultra-compacte, efficace et haute densité destinée à une grande variété d'applications basse consommation, notamment les téléphones mobiles avancés (smartphones), les tablettes, les enregistreurs vidéo, les appareils photo numériques, les ordinateurs portables, les serveurs et les équipements de réseau de communication.
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