Conosciuti come la serie TRSxxx65H, i nuovi dispositivi utilizzano un nuovo metallo Schottky. Il chip SBD in SiC di terza generazione ottimizza la struttura della barriera di giunzione Schottky (JBS) dei prodotti di seconda generazione, riducendo così il campo elettrico all'interfaccia Schottky e la corrente di dispersione, con conseguente aumento dell'efficienza.
I dispositivi di terza generazione raggiungono una bassa tensione diretta (VF) di 1,2 V (tip.). Ciò rappresenta una riduzione del 17% rispetto ai prodotti di seconda generazione. I nuovi prodotti di terza generazione hanno migliorato gli offset tra VF e carico capacitivo totale (QC), che è tipicamente di 17 nC per il TRS6E65H.
Rispetto ai prodotti di seconda generazione, anche il rapporto tensione-corrente inversa (IR) è stato migliorato, con il TRS6E65H che raggiunge un valore IR tipico di 1,1 µA. Tutti questi miglioramenti riducono la dissipazione di potenza e contribuiscono ad aumentare l'efficienza nelle apparecchiature dell'utente finale.
I dispositivi della serie TRSxxx65H sono in grado di sopportare correnti dirette in corrente continua (IF(DC)) fino a 12 A e correnti di picco a onda quadra non ripetitive (IFSM) fino a 640 A. Sette dei nuovi dispositivi sono alloggiati in contenitori TO-220-2L, mentre i restanti cinque sono forniti in contenitori SMD compatti e piatti DFN8×8.
