In questo modo, la nuova serie apre nuove opportunità di crescita e si posiziona come la scelta ideale per applicazioni a rapido avvio in settori quali sicurezza, industria e IoT.
La memoria flash NAND QSPI ad alta velocità della serie GD5F1GM9 è realizzata con un processo a 24 nm. La serie supporta tensioni operative di 3 V e 1,8 V e offre diverse modalità di lettura ad alta velocità: lettura continua, lettura della cache e caricamento automatico della pagina successiva. Le nuove modalità di lettura continua e caricamento automatico della pagina successiva offrono agli utenti una maggiore versatilità per accedere rapidamente a codice e dati. Inoltre, un innovativo sistema di calcolo parallelo è integrato nel design ECC (Error Correction Code), sostituendo il tradizionale metodo seriale e riducendo significativamente i tempi di elaborazione dell'ECC integrato.
In termini di prestazioni, la versione a 3 V della serie raggiunge velocità fino a 83 MB/s in modalità di lettura continua con una frequenza massima di 166 MHz, mentre la versione a 1,8 V raggiunge 66 MB/s a 133 MHz. Questi valori, che risultano fino a tre volte superiori rispetto ai prodotti SPI NAND convenzionali operanti alla stessa frequenza, consentono un migliore accesso ai dati, tempi di avvio del sistema ridotti e un minore consumo energetico complessivo.
La presenza di blocchi difettosi in fabbrica è un problema intrinseco della tecnologia NAND Flash. Per ovviare a questo inconveniente, la serie GD5F1GM9 integra la gestione dei blocchi difettosi (Bad Block Management, BBM). Questa funzionalità garantisce l'accesso all'intero array di memoria con un singolo comando, poiché BBM mappa dinamicamente gli indirizzi dei blocchi difettosi a quelli validi, saltando automaticamente quelli non funzionanti. I primi 256 blocchi della serie GD5F1GM9 sono garantiti come perfettamente funzionanti fin da subito. Sebbene possano essere presenti blocchi difettosi in fabbrica e nuovi blocchi difettosi possano comparire durante l'utilizzo, la funzione BBM crea collegamenti tra indirizzi logici e fisici, consentendo la ridistribuzione e la sostituzione dei blocchi problematici. Il dispositivo supporta fino a 20 collegamenti di ricerca nella tabella BBM.
La serie GD5F1GM9 offre una capacità di 1 Gb, con due opzioni operative a 3 V e 1,8 V. È disponibile in diversi formati di package, tra cui WSON8 8 × 6 mm, WSON8 6 × 5 mm e BGA24 con un array di sfere 5 × 5.
