Grazie alla sua bassa resistenza e alla bassa corrente di dispersione, soddisfa i requisiti per questo tipo di MOSFET. Il metodo di connessione per le sue due uscite indipendenti è implementato internamente per migliorare l'alimentazione del dispositivo durante l'accensione e lo spegnimento. Le sue applicazioni generali includono convertitori di potenza switching, servomotori CA, apparecchiature di saldatura, conversione di potenza industriale e sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS).
Alcune delle caratteristiche più notevoli sono:
• Isolamento: 3500 Vac
• Carico capacitivo: 220 uF
• Capacità di isolamento: 3,5 pF
• Temperatura di esercizio: da -40 a 105 °C
• Efficienza fino all'83%
• SIP
• Protezione da cortocircuito
Modalità operativa:
Il driver per MOSFET SiC riceve la tensione di pilotaggio di 20 V e disattiva la tensione di polarizzazione di -4 V proveniente da QA01C. Per evitare danni agli elettrodi, sarà necessario aggiungere una coppia di diodi Zener (D2 e D3) per assorbire la tensione di picco. Inoltre, si raccomanda l'isolamento tramite optoaccoppiatore per isolare il segnale tra il circuito di controllo e il circuito di alimentazione principale, poiché il CMRR massimo dell'optoaccoppiatore (30 kV) ad un'elevata tensione di isolamento potrebbe causare un leggero ritardo nel raggiungimento dell'alta frequenza caratteristica di questi MOSFET.
