Pertanto, sono ideali per gli alimentatori (PSU) utilizzati nelle infrastrutture server per l'intelligenza artificiale (IA) ad alto consumo energetico, nelle apparecchiature di telecomunicazione e negli inverter solari.
Questi nuovi diodi Schottky offrono prestazioni all'avanguardia grazie alla commutazione capacitiva indipendente dalla temperatura e al comportamento di recupero nullo, garantendo un eccezionale indice di merito (QC x VF). Inoltre, presentano prestazioni di commutazione pressoché completamente indipendenti dalle variazioni di corrente e dalla velocità di commutazione. La struttura Schottky PiN fusa (MPS) di questi dispositivi offre ulteriori vantaggi, come un'eccezionale robustezza contro le sovratensioni, dimostrata dall'elevata corrente di picco diretta (IFSM). Questa caratteristica riduce la necessità di circuiti di protezione aggiuntivi, diminuendo significativamente la complessità del sistema e consentendo agli ingegneri di ottenere una maggiore efficienza utilizzando dimensioni più compatte in applicazioni robuste ad alta tensione.
Il PSC20120J è disponibile in un package plastico di potenza a montaggio superficiale (SMD) Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2), mentre il PSC20120L è disponibile in un package plastico di potenza a foro passante Real-2-Pin TO-247 R2P (TO-247-2). Questi package termicamente stabili migliorano l'affidabilità del dispositivo in applicazioni ad alta tensione a temperature operative fino a 175 °C. I progettisti possono contare su una maggiore tranquillità grazie alla reputazione di Nexperia come produttore affidabile di prodotti semiconduttori di alta qualità in un'ampia gamma di tecnologie, supportato da una solida catena di fornitura.
