"Questo ulteriore accordo di fornitura a lungo termine di substrati in SiC va ad aggiungersi alla capacità esterna che ci siamo già assicurati e a quella interna che stiamo incrementando. Ciò consentirà a ST di aumentare il volume e la quantità di wafer necessari per soddisfare la crescente domanda dei clienti per i programmi automobilistici e industriali nei prossimi anni", ha dichiarato Jean-Marc Chery, Presidente e CEO di STMicroelectronics.
“SiCrystal è un'azienda del Gruppo ROHM, leader nel settore del SiC, e produce wafer di SiC da molti anni. Siamo molto lieti di siglare questo accordo di fornitura con ST, un nostro cliente di lunga data. Continueremo a supportare il nostro partner nell'espansione del business del carburo di silicio, aumentando costantemente i quantitativi di wafer e garantendo sempre una qualità affidabile”, afferma il Dr. Robert Eckstein, Presidente e CEO di SiCrystal, azienda del Gruppo ROHM.
L'adozione di soluzioni energetiche basate sul SiC sta accelerando sia nel settore automobilistico che in quello industriale. Con questo accordo, le due aziende contribuiranno alla diffusione del SiC in questi mercati.
