ANDREA BRICCONI | DIRETTORE COMMERCIALE, CGD
"Questo accordo rappresenta un passo importante per CGD, in quanto ci consente di espandere la nostra attività e costruire un ecosistema GaN che aiuterà gli ingegneri a esplorare e sfruttare i vantaggi dell'ICeGaN per la conversione di potenza ad alta tensione. DigiKey è un marchio molto rispettato e affidabile e siamo certi che questo accordo permetterà a CGD di penetrare e supportare nuovi mercati in tutto il mondo."
MISSY HALL | VICE PRESIDENTE, SVILUPPO NUOVI MERCATI, DIGIKEY
"Siamo lieti di aggiungere Cambridge GaN Devices (CGD) al nostro programma Fulfilled by DigiKey. Includendo i transistor della serie ICeGaN di CGD nel nostro portfolio, DigiKey offre ai nostri clienti opzioni ancora più efficienti dal punto di vista energetico. DigiKey è sempre alla ricerca di soluzioni per colmare le lacune nella propria base clienti e l'aggiunta di CGD alla nostra comunità di fornitori rappresenta un ulteriore passo avanti verso una grande innovazione."
CGD ha recentemente lanciato la sua famiglia di HEMT al nitruro di gallio serie H2 da 650 V. Questi nuovi componenti riducono la complessità di progettazione, poiché possono essere controllati con driver di gate disponibili in commercio. In termini di efficienza, gli HEMT ICeGaN offrono un QG 10 volte inferiore rispetto ai componenti al silicio e un QOSS 5 volte inferiore. Ciò riduce significativamente le perdite di commutazione, consentendo valori di efficienza leader del settore che si traducono in una riduzione delle dimensioni, del peso e del costo del sistema. Gli HEMT ICeGaN serie H2 risolvono anche i problemi di affidabilità e robustezza grazie all'utilizzo dell'interfaccia gate intelligente di CGD, che elimina virtualmente i tipici punti deboli del GaN in modalità elettronica. I dispositivi presentano una maggiore resistenza alle sovratensioni, una soglia di immunità al rumore più elevata, soppressione dV/dt e protezione ESD.
