In base a questo accordo, Mouser offrirà ai clienti la gamma di circuiti integrati di potenza GaNFast™ e GaNSense™ di Navitas, nonché la gamma di MOSFET di potenza e diodi SiC GeneSiC™. Questi semiconduttori ad alta efficienza consentono prestazioni ad alta frequenza per applicazioni quali veicoli elettrici, dispositivi di ricarica rapida, elettronica di consumo, energie alternative e soluzioni industriali.
“Mouser è entusiasta di aggiungere questo importante leader del settore al proprio portafoglio e di offrire questi innovativi dispositivi di alimentazione ai propri clienti”, ha dichiarato Kristin Schuetter, vicepresidente della gestione dei fornitori di Mouser. “Gli ingegneri progettisti ora hanno facile accesso ai componenti avanzati di Navitas, supportati dall'impareggiabile servizio clienti e dalla logistica di livello mondiale di Mouser. Siamo certi che questa partnership si rivelerà un grande successo.”.
"L'aggiunta dei prodotti GaNFast al portfolio GeneSiC esistente amplifica notevolmente la notorietà, l'interesse e, in definitiva, i ricavi di Navitas grazie alla solida e affermata piattaforma di distribuzione di Mouser", ha dichiarato David Carroll, vicepresidente senior delle vendite internazionali di Navitas Semiconductor. "I prodotti di nuova generazione, la facilità d'uso, la disponibilità immediata e l'eccellente supporto tecnico consentono ai progettisti di sistemi di alimentazione di fornire rapidamente prototipi di alta qualità sia in SiC che in GaN, nei tempi previsti e pronti per la produzione di massa.".
I circuiti integrati di potenza GaNFast consentono frequenze di commutazione sei volte superiori rispetto alle soluzioni GaN discrete, con conseguente maggiore risparmio energetico del sistema e riduzione di dimensioni e peso. I circuiti integrati di potenza GaNFast sono facili da usare e compatibili con un'ampia gamma di topologie e controller diffusi. Integrano monoliticamente potenza, pilotaggio e controllo GaN per creare un elemento digitale di ingresso e potenza in uscita essenziale, intuitivo, ad alta velocità e ad alte prestazioni. I circuiti integrati di potenza GaNFast consentono una ricarica fino a tre volte più veloce con dimensioni e peso dimezzati rispetto alla tradizionale elettronica di potenza basata sul silicio, oppure una potenza di uscita tripla senza aumento di dimensioni o peso.
I circuiti integrati di potenza GaNFast con tecnologia GaNSense integrano circuiti di rilevamento e protezione critici, autonomi e in tempo reale, che migliorano ulteriormente l'affidabilità e la robustezza, già leader del settore, di Navitas. Queste rivoluzionarie soluzioni a singolo package riducono il numero di componenti e l'ingombro rispetto ai sistemi discreti esistenti, diminuendo costi, dimensioni, peso e complessità del sistema. Con un intervallo di tensione di alimentazione da 5,5 a 24 V, i circuiti integrati di potenza GaNFast sono ideali per un'ampia varietà di applicazioni aziendali e di consumo.
La famiglia di circuiti integrati di potenza GaNFast offre molteplici vantaggi in termini di efficienza e affidabilità in package PQFN standard, facili da usare, a basso profilo e a bassa induttanza. Questi dispositivi accelerano la prototipazione e la generazione di ricavi e sono progettati per abilitare la prossima generazione di topologie a commutazione software, massimizzando al contempo le capacità di commutazione ad alta velocità (MHz+) del GaN. Questi dispositivi ad alta efficienza sono particolarmente adatti per applicazioni mobili e per data center, nonché per azionamenti di motori industriali.
