"Siamo lieti di aggiungere Transphorm al nostro portfolio di prodotti per la linea di alimentazione", afferma Kristin Schuetter, vicepresidente della gestione dei fornitori presso Mouser. "Le innovative piattaforme di valutazione e i transistor GaN ad alte prestazioni di Transphorm offrono grandi vantaggi a progettisti e produttori che sviluppano applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione in diversi mercati verticali.".
“Siamo entusiasti di entrare a far parte del gruppo di fornitori globali di Mouser come produttori di dispositivi GaN di alta qualità e affidabilità”, ha dichiarato Philip Zuk, Vicepresidente del marketing tecnico e delle vendite a livello mondiale per il Nord America di Transphorm. “Questo accordo ci offre un'incredibile opportunità di mettere a disposizione la nostra tecnologia GaN leader del settore all'ampia base clienti di Mouser. Non vediamo l'ora di collaborare con il loro team per supportare i clienti nello sviluppo di sistemi di alimentazione di nuova generazione.”.
I transistor GaN FET da 900 V in package TO-220 e da 650 V in package TO-247 e TO-220 di Transphorm, disponibili presso Mouser Electronics, combinano le tecnologie HEMT GaN ad alta tensione e MOSFET a bassa tensione. Questi dispositivi presentano basse perdite di crossover, carica di gate ridotta e carica di recupero inversa inferiore, offrendo un'affidabilità sul campo simile a quella dei transistor FET al carburo di silicio (SiC) e prestazioni migliorate rispetto ai MOSFET al silicio. Rispetto ai dispositivi GaN della concorrenza, i transistor FET dell'azienda offrono anche la tensione di soglia più elevata del settore, pari a 4 V, e una robustezza del gate di ±20 V.
I transistor GaN FET di Transphorm per applicazioni automotive includono il TPH3205WSBQA, la prima soluzione GaN del settore ad aver ottenuto la certificazione AEC-Q101, e il TP65H035WSQA, il primo dispositivo con temperatura nominale di 175 gradi Celsius e certificazione AEC-Q101. Analogamente alle applicazioni non automotive, i sistemi di alimentazione per veicoli che utilizzano transistor GaN FET da 650 V possono ottenere una densità energetica superiore fino al 40%, riducendo al contempo i costi complessivi del sistema fino al 20% rispetto a soluzioni simili basate sul silicio.
I transistor GaN FET di Transphorm sono combinati con driver di gate standard, migliorando l'efficienza sia nei circuiti di commutazione hardware che software, e consentendo al contempo facilità di controllo e progettazione. Se utilizzati in un sistema di correzione del fattore di potenza (PFC) AC-DC senza ponte di tipo totem, i vantaggi della piattaforma GaN (come l'aumento della densità di potenza e la riduzione dei costi di sistema) vengono massimizzati. I transistor FET sono adatti a un'ampia gamma di applicazioni industriali, di telecomunicazione e automobilistiche, nonché per alimentatori e sistemi per computer di consumo.
Mouser offre anche piattaforme di valutazione correlate di Transphorm, che consentono ai progettisti di studiare le caratteristiche di commutazione e l'efficienza. I kit supportano varie topologie di sistemi di alimentazione, tra cui inverter, convertitori buck o boost a semiponte (soluzioni SMD e a foro passante) e PFC a totem senza ponte. Coprono inoltre una gamma di potenze nominali per supportare diverse applicazioni. Esempi includono le piattaforme di valutazione a semiponte da 1,2 kW e 2,5 kW, nonché le piattaforme di valutazione PFC a totem senza ponte da 2,5 kW e 4 kW.
