L'offerta di MOSFET di potenza FET "superjunction" da 650 V di D3 Semiconductor, ora disponibile presso Mouser Electronics, è progettata con l'esclusiva tecnologia superjunction +FET™ dell'azienda, un approccio innovativo che unisce la potenza e l'efficienza delle architetture superjunction con la precisione del segnale misto. Per massime prestazioni e affidabilità, ogni MOSFET di potenza superjunction +FET del portfolio di D3 Semiconductor è progettato per un nodo a 650 V, contribuendo a migliorare la densità di potenza in applicazioni che tradizionalmente utilizzano IGBT, come inverter e azionamenti per motori.
I MOSFET di potenza Superjunction + FET presentano una resistenza RDS-ON (resistenza allo stato attivo) estremamente bassa, che varia da 32 milliohm a 1000 milliohm, per prestazioni migliorate nelle applicazioni a bassa frequenza, nonché capacità di commutazione rapide che consentono ai dispositivi di operare con trasferimenti di carica di gate veloci in un breve periodo di tempo. Ogni dispositivo della famiglia viene inoltre testato al 100% per la resistenza all'effetto valanga ai livelli di corrente di valanga più elevati del settore durante la produzione, per garantire la soluzione più robusta anche per le applicazioni più esigenti. I dispositivi soddisfano anche lo standard JESD 22 per le prestazioni di scarica elettrostatica (ESD) e sono testati in polarizzazione inversa ad alta temperatura (HTRB) per oltre 3.000 ore.
