L'acquisizione supporta la roadmap di sviluppo in corso dell'azienda per la sua tecnologia proprietaria PowiGaN™, presente in molte famiglie di prodotti dell'azienda, tra cui i circuiti integrati InnoSwitch™, i circuiti integrati per la correzione del fattore di potenza HiperPFS™-5 e la famiglia di circuiti integrati a stadio singolo e uscite multiple InnoMux™-2, lanciata di recente. L'azienda ha introdotto le versioni a 900 e 1250 volt della tecnologia e dei prodotti PowiGaN nel 2023.
Il Dr. Radu Barsan, Vicepresidente della Tecnologia di Power Integrations, ha commentato: "Power Integrations è stata all'avanguardia nello sviluppo e nella commercializzazione del GaN sin da quando abbiamo iniziato a spedire prodotti con tecnologia PowiGaN nel 2018. Stiamo implementando una roadmap ambiziosa che include il raggiungimento della parità di costo con i MOSFET al silicio e l'espansione delle capacità di tensione e potenza di PowiGaN." Il nostro obiettivo è commercializzare una tecnologia GaN ad alta corrente e alta tensione economicamente vantaggiosa per supportare applicazioni ad alta potenza attualmente servite dal carburo di silicio (SiC), a un costo molto inferiore e con le prestazioni superiori rese possibili dai vantaggi fondamentali del GaN rispetto al SiC. L'esperienza del team di Odyssey nel GaN verticale ad alta corrente potenzierà e accelererà questi sforzi e siamo lieti di dar loro il benvenuto nel nostro team."
Il Dr. Richard Brown, co-fondatore e CEO di Odyssey, ha aggiunto: "Il team di Odyssey ed io siamo entusiasti di unirci a Power Integrations per accelerare la sua roadmap tecnologica GaN. Essendo la prima azienda a commercializzare il GaN ad alta tensione, Power Integrations continua a essere leader del settore nel far progredire la tecnologia in termini di costi, tensione e corrente, nonché nella progettazione di prodotti a livello di sistema che sfruttano appieno le capacità del GaN."