La cerimonia di firma si è svolta presso la sede centrale di Renesas a Tokyo tra Hidetoshi Shibata, Presidente e CEO di Renesas, e Gregg Lowe, Presidente e CEO di Wolfspeed.

L'accordo di fornitura decennale prevede che Wolfspeed fornisca a Renesas wafer di carburo di silicio (SiC) da 150 mm, sia nudi che epitassiali, a partire dal 2025, rafforzando la visione di entrambe le aziende per una transizione a livello industriale dei dispositivi a semiconduttore di potenza dal silicio al carburo di silicio. L'accordo prevede anche la fornitura a Renesas di wafer di SiC da 200 mm, sia nudi che epitassiali, una volta che il John Palmour Silicon Carbide Fabrication Center (il "JP"), recentemente annunciato, sarà pienamente operativo.

La necessità di semiconduttori di potenza più efficienti per la distribuzione e la gestione dell'energia elettrica sta aumentando vertiginosamente in tutte le applicazioni industriali e automobilistiche, stimolata dalla crescita dei veicoli elettrici (EV) e delle energie rinnovabili. Renesas si sta muovendo rapidamente per soddisfare la crescente domanda di semiconduttori di potenza, ampliando la propria capacità produttiva interna. L'azienda ha recentemente annunciato la ripresa della produzione di IGBT presso il suo stabilimento di Kofu e l'avvio di una linea di produzione di carburo di silicio presso lo stabilimento di Takasaki.

Rispetto ai semiconduttori di potenza al silicio convenzionali, i dispositivi al carburo di silicio consentono una maggiore efficienza energetica, una maggiore densità di potenza e costi di sistema inferiori. In un mondo sempre più attento al risparmio energetico, l'adozione del carburo di silicio si sta diffondendo in numerose applicazioni ad alto volume, tra cui veicoli elettrici, energie rinnovabili e sistemi di accumulo, infrastrutture di ricarica, alimentatori industriali, trazione e azionamenti a velocità variabile.

"L'accordo di fornitura di wafer con Wolfspeed fornirà a Renesas una base di approvvigionamento stabile e a lungo termine di wafer di carburo di silicio di alta qualità. Ciò consentirà a Renesas di ampliare la propria offerta di semiconduttori di potenza per servire al meglio la vasta gamma di applicazioni dei propri clienti", ha dichiarato Hidetoshi Shibata, Presidente e CEO di Renesas. "Siamo ora pronti ad affermarci come attore chiave nel mercato del carburo di silicio in rapida espansione."

“Con la crescente domanda di carburo di silicio nei settori automobilistico, industriale ed energetico, è fondamentale avere clienti leader nel settore dei semiconduttori di potenza come Renesas per guidare la transizione globale dal silicio al carburo di silicio”, ha dichiarato Gregg Lowe, Presidente e CEO di Wolfspeed. “Da oltre 35 anni, Wolfspeed si concentra sulla produzione di wafer e dispositivi di potenza in carburo di silicio di alta qualità e questa collaborazione rappresenta un passo importante nella nostra missione di salvare il mondo dall'energia”.

Il deposito di 2 miliardi di dollari di Renesas contribuirà a sostenere i progetti di ampliamento della capacità produttiva di Wolfspeed, tra cui il JP, il più grande impianto al mondo per la fabbricazione di materiali in carburo di silicio nella contea di Chatham, nella Carolina del Nord. Questo impianto all'avanguardia, del valore di diversi miliardi di dollari, mira ad aumentare di oltre dieci volte l'attuale capacità produttiva di carburo di silicio di Wolfspeed presso il suo campus di Durham, nella Carolina del Nord. L'impianto produrrà principalmente wafer di carburo di silicio da 200 mm, che sono 1,7 volte più grandi dei wafer da 150 mm, consentendo di ottenere un maggior numero di chip per wafer e, in definitiva, costi dei dispositivi inferiori.

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