Dopo aver avviato la produzione di massa dei suoi HEMT GaN da 150 V, caratterizzati da una tensione di rottura del gate di 8 V, nel 2022, ROHM ha sviluppato la tecnologia dei circuiti integrati di controllo nel marzo 2023 per massimizzare le prestazioni del GaN. Ora, ROHM ha sviluppato gli HEMT GaN da 650 V, leader di mercato, che contribuiscono a una maggiore efficienza e a un ingombro ridotto in una gamma più ampia di sistemi di alimentazione.
I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono prestazioni leader del settore in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un fattore chiave per i transistor HEMT GaN, con conseguente aumento dell'efficienza nei sistemi di alimentazione. Allo stesso tempo, un elemento di protezione ESD integrato migliora la resistenza alla scarica elettrostatica fino a 3,5 kV, incrementando così l'affidabilità dell'applicazione. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità dei transistor HEMT GaN contribuiscono inoltre a un'ulteriore miniaturizzazione dei componenti periferici.
ROHM continua a migliorare le prestazioni dei dispositivi attraverso la sua gamma EcoGaN™ di dispositivi GaN, che contribuisce a un maggiore risparmio energetico nelle applicazioni e a un'ulteriore miniaturizzazione. Durante lo sviluppo dei prodotti ROHM, promuoviamo anche la collaborazione attraverso partnership strategiche per contribuire a risolvere le sfide sociali rendendo le applicazioni più efficienti e compatte.
EcoGaN™
è la nuova gamma di dispositivi GaN di ROHM, che contribuisce al risparmio energetico e alla miniaturizzazione massimizzando le caratteristiche del GaN con l'obiettivo di ottenere un minore consumo energetico nelle applicazioni, componenti periferici più piccoli e design più semplici che richiedono un minor numero di componenti.
Gamma di prodotti
Esempi di applicazione:
Ideale per un'ampia gamma di sistemi di alimentazione in apparecchiature industriali e dispositivi di consumo, inclusi server e adattatori CA.
Ancora Semiconductors Inc.
è una consociata di Delta Electronics, fornitore globale di soluzioni per la gestione termica ed energetica. Fondata nel luglio 2022, Ancora si concentra sullo sviluppo di dispositivi e tecnologie GaN.
Ulteriori informazioni su Ancora
Terminologia
GaN HEMT
Il GaN (nitruro di gallio) è un materiale semiconduttore composto utilizzato nei dispositivi di potenza di nuova generazione. La sua adozione è in aumento grazie alle sue proprietà superiori rispetto al silicio, come dimostrato dalle sue eccellenti caratteristiche ad alta frequenza.
HEMT è l'acronimo di High Electron Mobility Transistor (Transistor ad alta mobilità elettronica).
RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
è un indice per valutare le prestazioni di commutazione, dove Ciss si riferisce alla capacità totale dal lato di ingresso e Coss dal lato di uscita.
Più basso è questo valore, maggiore è la velocità di commutazione e minori sono le perdite di commutazione.
La scarica elettrostatica (ESD)
è una sovratensione che si verifica quando oggetti carichi, come il corpo umano e le apparecchiature elettroniche, entrano in contatto. Questo tipo di sovratensione può causare un funzionamento anomalo o la distruzione di circuiti e apparecchiature.
