Questa espansione risponde alla crescente domanda di conversione ultra-efficiente nei sistemi ad alta potenza e incorpora dispositivi progettati per capacità di corrente fino a 608 A e una resistenza termica giunzione-guscio di soli 0,07 °C/W (nel formato standard a semiponte S3 da 62 mm).
I moduli a sei componenti integrano lo stadio di potenza trifase in un pacchetto compatto e presentano un intervallo RDSon da 19,5 a 82 mΩ. Sono progettati per ottimizzare il layout e ridurre al minimo il rumore parassita nei convertitori AC-DC avanzati e negli azionamenti per motori.
I moduli full-bridge offrono capacità di corrente fino a 120 A e una resistenza di conduzione estremamente bassa di soli 8,6 mΩ. Questa combinazione, unitamente a una bassa resistenza termica di 0,28 °C/W, massimizza la densità di potenza e l'efficienza negli inverter monofase e nei sistemi DC-DC ad alta tensione.
Tutti i componenti vengono sottoposti a test di burn-in dell'ossido di gate a livello di wafer per garantire la qualità dell'ossido. Vengono inoltre testati con tensioni di rottura superiori a 1350 V. I moduli basati su questi chip di terza generazione operano a tensioni di gate inferiori rispetto alle generazioni precedenti, grazie a un intervallo di tensione di gate compreso tra 18 V e -4,5 V. La tecnologia Gen3 di SemiQ riduce sia le perdite RONsp che le perdite a spegnimento (EOFF) fino al 30% rispetto alle generazioni precedenti.
Il Dott. Timothy Han ha dichiarato: "L'infrastruttura di ricarica per veicoli elettrici e nuove applicazioni industriali richiede livelli di prestazioni sempre più elevati. Grazie a una densità di corrente leader di mercato e a una resistenza di conduzione significativamente inferiore, i nostri nuovi moduli Gen3 full-bridge, half-bridge e six-pack aiutano le aziende a soddisfare queste esigenze."
