Ideali per l'uso in cucina, i nuovi dispositivi sono forniti in un contenitore TO-3 (N), equivalente al TO247, e offrono una temperatura di giunzione massima di 175 °C. La corrente nominale massima per entrambi i dispositivi è di 50 A. La tensione di saturazione tipica (con una Ic di 50 A) è di 1,5 V per il GT50JR21 e di 1,65 V per il GT50JR22.
I transistor IGBT GT50JR21 e GT50JR22 di Toshiba si basano sulla tecnologia a semiconduttori avanzata dell'azienda e sono ottimizzati per la commutazione ad altissima velocità. I loro tempi di accensione (t<sub>on</sub>) e di spegnimento (t<sub>off</sub>) tipici, con una corrente di collettore di 50 A, sono rispettivamente di 0,26 ms e 0,31 ms, e di 0,25 ms e 0,37 ms. Di conseguenza, il GT50JR21 è adatto per la commutazione a bassa frequenza, mentre il GT50JR22 è adatto per la commutazione ad alta frequenza.
La dissipazione di calore del collettore per ciascun IGBT è di 230 W a 25 °C.
