Grazie ai package L-TOGL e alle conseguenti migliori caratteristiche di dissipazione del calore, i nuovi MOSFET di Toshiba sono altamente ottimizzati per la gestione di correnti elevate. Ciascuno di essi presenta elevate correnti di drain nominali (400 A per l'XPQR3004PB e 200 A per l'XPQ1R004PB), nonché valori di resistenza di accensione leader del settore (0,3 mΩ per l'XPQR3004PB e 1 mΩ per l'XPQ1R004PB).

Questi dispositivi non hanno una struttura a poli interni (connessione saldata). Ciò è ottenuto collegando il source e i terminali esterni con un'innovativa clip in rame. L'utilizzo di una struttura multipolare per i terminali di source riduce la resistenza del package (e le perdite associate) di circa il 70% rispetto al package TO-220SM(W) esistente. La corrente di drain nominale (ID) dell'XPQR3004PB rappresenta un aumento del 60% rispetto all'attuale TKR74F04PB, alloggiato nel package TO-220SM(W). Inoltre, il robusto telaio in rame riduce sostanzialmente l'impedenza termica tra la giunzione e l'involucro. Tale valore è pari a 0,2 °C/W per l'XPQR3004PB e a 0,65 °C/W per l'XPQ1R004PB. Ciò facilita la dissipazione del calore, riduce le temperature di esercizio e migliora l'affidabilità.

Progettati per l'utilizzo in applicazioni automotive impegnative a temperature fino a 175 °C, i modelli XPQR3004PB e XPQ1R004PB sono certificati AEC-Q101. I loro terminali a "ali di gabbiano" riducono le sollecitazioni di assemblaggio e facilitano l'ispezione visiva, contribuendo così a migliorare l'affidabilità delle saldature.

Se utilizzati in applicazioni automotive ad alta corrente, come relè a semiconduttore o generatori di avviamento integrati (ISG), gli XPQR3004PB e XPQ1R004PB semplificano la progettazione e riducono il numero di MOSFET necessari. Ciò si traduce in dimensioni, peso e costi ridotti.

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