(corrente continua ad alta tensione). In questo contesto, il dispositivo di ROHM è stato selezionato come dispositivo di alimentazione SiC compatibile con i sistemi di alimentazione di ultima generazione.
Con l'aumento costante delle prestazioni delle GPU e la crescente diffusione dell'intelligenza artificiale generativa, il consumo energetico dei data center è in rapida crescita. Per affrontare questa sfida, il settore si sta orientando verso le architetture HVDC (alta tensione e corrente continua) per ridurre le perdite di trasmissione. In questi ambienti ad alta potenza e alta tensione, le BBU (Battery Buffer Unit) e le CU (unità di condensatori), che compensano le perdite di potenza a livello di rack server, svolgono un ruolo sempre più critico nella protezione dei sistemi e degli enormi volumi di dati da anomalie come interruzioni di corrente o cali di tensione momentanei.
Il prodotto integrato è l'SCT4013DLL, un MOSFET SiC da 750 V installato nella sezione di alimentazione di un'architettura di alimentazione ±400 V per server AI. Sfruttando le caratteristiche del SiC, questo prodotto offre un'elevata tolleranza alle temperature con una temperatura di giunzione (Tj) massima di 175 °C, consentendo un funzionamento stabile anche nelle BBU dove la generazione di calore aumenta con tensioni e densità di potenza più elevate.
Nelle architetture di alimentazione a 800 V CC di ultima generazione, la tensione di alimentazione fornita al banco batterie all'interno della BBU è di circa 560 V. Per questo motivo, in questi sistemi è possibile utilizzare anche i MOSFET SiC di ROHM con una tensione nominale di 750 V.
Gli alimentatori HVDC per i server AI di nuova generazione richiedono sistemi di backup in grado di controllare istantaneamente tensioni e correnti elevate con perdite di potenza minime in caso di guasto. Per soddisfare questi requisiti stringenti, i dispositivi di potenza in SiC, che combinano capacità di alta tensione, basse perdite e tolleranza alle alte temperature, dovrebbero fungere da componenti chiave al centro del controllo dell'alimentazione.
Nell'ottica della continua crescita dei mercati dei server AI e dei data center, ROHM rafforzerà ulteriormente lo sviluppo e la fornitura di dispositivi di potenza basati su SiC, GaN e silicio. ROHM contribuirà inoltre al raggiungimento di una maggiore efficienza energetica e alla costruzione di una società sostenibile, offrendo soluzioni che combinano questi dispositivi di potenza con circuiti integrati analogici e altre tecnologie.
EcoSiC
™ è un marchio di dispositivi che utilizzano il carburo di silicio (SiC) e sta attirando l'attenzione nel settore dei dispositivi di potenza, dimostrando prestazioni persino superiori a quelle del silicio (Si). ROHM sviluppa autonomamente tecnologie essenziali per l'evoluzione del SiC, dalla fabbricazione dei wafer e dai processi di produzione fino al packaging e ai metodi di controllo qualità. Allo stesso tempo, abbiamo implementato un sistema di produzione integrato lungo tutto il processo produttivo, consolidando la nostra posizione di fornitore leader di SiC.
EcoSiC™ è un marchio commerciale o un marchio registrato di ROHM Co., Ltd.
Informazioni correlate:
ROHM offre informazioni sui dispositivi di potenza SiC sul proprio sito web, incluso un pratico "Easy Component Finder" per la selezione dei prodotti in base a condizioni specifiche, nonché modelli di progettazione che facilitano la valutazione e l'implementazione. Di seguito sono riportati materiali e risorse tecniche correlati.
• Nota applicativa: Packaging discreto dei MOSFET SiC di quarta generazione: caratteristiche e precauzioni per la progettazione dei circuiti
• Nota applicativa: vantaggi applicativi dell'utilizzo dei MOSFET SiC di quarta generazione
• White Paper: Soluzioni architetturali a 800 V CC di ROHM per server AI
• Dialogo speciale: I vincoli di alimentazione dei data center si intensificano: perché Delta e ROHM puntano sulla corrente continua ad alta tensione (HVDC)?
