GaN es una tecnología de semiconductores de nueva generación que está cobrando importancia por su capacidad de ofrecer un rendimiento superior al de los semiconductores de silicio convencionales, al tiempo que reduce la energía y el espacio físico necesarios para ofrecer ese rendimiento. Funciona hasta 20 veces más rápido que el silicio y también puede permitir un manejo de la energía o una capacidad de carga tres veces más rápida, así como sus ventajas de tamaño, lo que lleva a un coste del sistema potencialmente un 20% menor para los diseñadores, ingenieros y arquitectos de sistemas de energía.

Los circuitos integrados de potencia GaNFast™ de Navitas con tecnología GaNSense™ integran la capacidad de alimentación, accionamiento y control, así como la protección autónoma y la detección de corriente sin pérdidas, para ofrecer eficiencia energética, las huellas más pequeñas y el rendimiento de conversión de potencia más rápido. La última familia de CI de medio puente GaNSense de la empresa ofrece una solución, totalmente integrada y de un solo componente que permite que las fuentes de alimentación AC-DC alcancen frecuencias de conmutación de MHz en una amplia gama de aplicaciones de conmutación suave.