Farnell ha anunciado hoy la disponibilidad del chip 2040, basado en un diseño Raspberry Pi. Este nuevo chip, que constituye el núcleo del Raspberry Pi Pico de 4 dólares, combina gran rendimiento, bajo coste y facilidad de uso.
Nexperia ha anunciado hoy nuevos MOSFETs de potencia de 0,55 mΩ RDS(on) 40 V en el encapsulado LFPAK88 de alta fiabilidad para aplicaciones de automoción (BUK7S0R5-40H) e industriales (PSMNR55-40SSH). Estos dispositivos son los componentes de 40 V con menor RDS(on) que Nexperia ha fabricado nunca y, lo que es más importante, ofrecen densidades de potencia más de 50 veces superiores a las de los dispositivos D2PAK tradicionales.
ROHM ha desarrollado la tecnología de tensión de ruptura de puerta (tensión nominal puerta-fuente) más elevada de la industria (8 V) para dispositivos HEMT de GaN de 150 V, optimizada para circuitos de fuente de alimentación en equipos industriales y de comunicación.
Melexis ha presentado el sensor de posición Triaxis MLX90377 de una y dos pastillas (totalmente redundante) para aplicaciones industriales y de automoción junto con un nuevo encapsulado sin PCB para sensores de posición.
Power Integrations ha anunciado la familia InnoSwitch™4-CZ de circuitos integrados de conmutación de voltaje cero (ZVS) de alta frecuencia. Los dispositivos InnoSwitch4-CZ incorporan un robusto conmutador primario de 750 V que utiliza la tecnología PowiGaN™ de Power Integrations y un novedoso controlador flyback de pinza activa de alta frecuencia para facilitar una nueva clase de cargadores ultracompactos adecuados para teléfonos, tablets y ordenadores portátiles.
Allegro MicroSystems, Inc ha anunciado el lanzamiento del sensor A31315 el miembro más reciente de la familia 3DMAG™ de circuitos integrados sensores de posición magnéticos rotativos y lineales para aplicaciones industriales y de automoción. Los sensores 3DMAG combinan las probadas tecnologías planas y verticales de efecto Hall de Allegro para medir los componentes del campo magnético a lo largo de tres ejes (X, Y, Z), permitiendo verdaderas capacidades de detección en 3D con un amplio rango dinámico magnético sin saturación.
La aparición del Internet de las cosas (IdC), que aprovecha la informática de alto rendimiento en la nube y en las plataformas perimetrales, ha propiciado un aumento considerable de los datos consumidos por las aplicaciones que utilizamos para monitorizar todo, desde nuestra movilidad y bienestar personal hasta los hogares y las oficinas que ocupamos. Gracias a estos datos, la sociedad se está volviendo más inteligente.
Power Integrations ha presentado su familia de CI conmutadores flyback InnoSwitch3™-AQ, calificados para el sector de la automoción, disponible con un componente clasificado a 900 V, proporcionando un mayor margen de tensión para aplicaciones de inversores de vehículos eléctricos, gestión de baterías y control de climatización de 400 V y 800 V. La familia InnoSwitch3-AQ combina controladores primarios y secundarios, además de circuitos de retroalimentación de seguridad, en un solo CI.
Nexperia ha ampliado hoy su cartera de rectificadores Trench Schottky con dispositivos de hasta 100 V y 20 A. Las nuevas piezas presentan un excelente comportamiento de conmutación y un rendimiento térmico líder. Están disponibles en los encapsulados CFP (Clip Bond FlatPower) de Nexperia, que ocupan un espacio mucho menor que los componentes SMA/SMB/SMC.
ROHM ha desarrollado la serie GMR320 de resistencias shunt con una potencia nominal de 10 W. La serie GMR320 es el producto de mayor potencia nominal de la serie GMR de alta potencia y bajo nivel óhmico de ROHM, diseñada para aplicaciones de alta potencia en los sectores de la automoción, el equipamiento industrial y los electrodomésticos.
ROHM ha desarrollado cuatro nuevos módulos de energía inteligentes (IPM) con IGBT de 600 V de su serie BM6437x, que ofrecen las mejores características de bajo ruido de su categoría junto con una baja pérdida ideal para la conversión de potencia en inversores. Los dispositivos se utilizan en equipos industriales compactos, como los motores de pequeña capacidad para robots, así como en electrodomésticos, incluidos los aparatos de aire acondicionado y las lavadoras.
Nexperia anuncia la disponibilidad en volumen de su familia de dispositivos FET GaN de potencia de 650 V de segunda generación, que ofrece importantes ventajas de rendimiento con respecto a las tecnologías anteriores y a los dispositivos de la competencia. Con un rendimiento RDS(on) de hasta 35 mΩ (típico), los nuevos FETs de GaN de potencia se dirigen a fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) industriales monofásicas AC/DC y DC/DC, de entre 2 kW y 10 kW, especialmente a fuentes de servidores y telecomunicaciones que deben cumplir la normativa de eficiencia 80 PLUS® Titanium. Los dispositivos también se adaptan perfectamente a los inversores solares y a los servoaccionamientos en el mismo rango de potencia.
Disponibles en encapsulado TO-247, los nuevos FETs de GaN de potencia 650V H2 ofrecen una reducción del 36% del tamaño para un valor RDS(on) determinado, lo que mejora la estabilidad y la eficiencia.
La configuración en cascada elimina la necesidad de complicados controladores, lo que acelera el tiempo de comercialización. Los dispositivos ofrecen un rendimiento extraordinario tanto en configuraciones de conmutación dura como de conmutación suave, ofreciendo a los diseñadores la máxima flexibilidad.
Dilder Chowdhury, Director de Marketing Estratégico de GaN de Nexperia, explica: "Titanium es la más exigente de las especificaciones 80 PLUS®, ya que requiere una eficiencia de >91% en condiciones de carga completa (>96% al 50% de carga). Alcanzar este nivel de rendimiento en aplicaciones de potencia de servidor que operan a 2 kW y más, utilizando componentes de silicio convencionales, es complejo y desafiante. Los nuevos FETs de potencia de GaN de Nexperia se adaptan perfectamente a una elegante configuración de polo totem sin puentes que utiliza menos componentes y reduce tanto el tamaño físico como los costes".
Los FETs de GaN GAN041-650WSB de Nexperia ya están disponibles en gran volumen.
Hojas de datos del producto y vídeos de aprendizaje rápido
Los diseñadores pueden ver los FETs de GaN de Nexperia en acción visitando el stand de Nexperia en los PCIM Digital Days del 3 al 7 de mayo.
Analog Devices, Inc ha anunciado que su A²B 2.0 (Automotive Audio Bus) ya está disponible para producción. Como la siguiente evolución de la tecnología A²B de ADI, A²B 2.0 está diseñado para ayudar a los fabricantes de equipos originales (OEM) y a los proveedores de primer nivel del sector de la...
Maxim Integrated Products, Inc. ha presentado el amplificador de altavoz de clase D/G MAX98396 con el ruido más bajo de la industria y el menor consumo de energía en reposo. El amplificador de potencia de audio de entrada digital de 20 V ofrece 12,7 mW de potencia en reposo para cumplir y superar las...
Melexis amplía su gama de circuitos integrados (CI) de detección magnética con una variante de encapsulado de molde doble (DMP-Dual Mold Package) del MLX90425. Este nuevo dispositivo, que mantiene la consistencia de encapsulado con los circuitos integrados MLX90364 y MLX90421 establecidos,
Con motivo del PCIM en Nuremberg que se celebrará del 10 al 12 de mayo de 2016, ROHM Semiconductor presenta sus últimas novedades de productos de alimentación para la conmutación de alta velocidad y rendimiento de alta potencia, al mismo tiempo que satisface la necesidad de un mayor ahorro de energía...
Mitsubishi Electric ha presentado su sexta generación de módulos MPD (Mega Power Dual) IGBT. Los módulos, que son para su uso en convertidores de potencia como sistemas de gran capacidad fotovoltaica y eólicos de generación de energía, también son adecuados para otras aplicaciones de alta...
Las fábricas inteligentes en todo el mundo están aprovechando aplicaciones avanzadas de automatización como realidad aumentada, robots móviles autónomos, cobots y sensores industriales. Incluso más allá de la planta de producción tradicional, la automatización se está acelerando en entornos como...
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