Según la compañía, la nueva tecnología permite aumentar hasta un 30 % la densidad de potencia y la eficiencia, además de reducir las pérdidas hasta un 35 %, facilitando el diseño de equipos más compactos para vehículos eléctricos, centros de datos de inteligencia artificial y aplicaciones industriales. EliteSiC M4 busca responder a la creciente demanda de potencia eléctrica sin incrementar proporcionalmente el tamaño de los sistemas, las necesidades de refrigeración o las pérdidas energéticas.
Arquitectura trench para mejorar la eficiencia de conmutación
La nueva generación EliteSiC M4 incorpora mejoras en las características de conducción y conmutación respecto a la plataforma anterior. Entre sus principales avances técnicos destacan:
Reducción de entre el 20 y el 50 % de la resistencia específica en conducción (RSP), junto con una mayor velocidad de conmutación.
Mejora del 67 % en las figuras de mérito de conmutación dura (hard-switching).
Mejora del 50 % en las figuras de mérito de conmutación suave (soft-switching).
Compatibilidad con diferentes encapsulados, incluidos los de montaje superficial con refrigeración superior y los módulos de alta potencia.
Cualificación para temperaturas de 185 °C o superiores, destinada a aplicaciones exigentes.
Estas características permiten reducir las pérdidas de energía y desarrollar convertidores de potencia con mayores prestaciones dentro de espacios limitados.
Aplicaciones en vehículos eléctricos y centros de datos de IA
En el sector de la automoción, EliteSiC M4 está orientada principalmente a los inversores de tracción de vehículos eléctricos, donde la eficiencia de conversión influye en la autonomía, el comportamiento térmico y el tamaño del sistema. La mayor densidad de potencia también permite optimizar el diseño de los sistemas de propulsión eléctrica.
La plataforma también está dirigida a sistemas de energía solar, almacenamiento energético y otras aplicaciones de alta tensión. En estos entornos, la reducción de las pérdidas de conversión puede contribuir a mejorar el aprovechamiento de la energía y disminuir los requisitos de refrigeración. Según Achyut Shah, presidente del Power Solutions Group de onsemi, las nuevas infraestructuras energéticas necesitan suministrar más potencia con mayor eficiencia y ocupando menos espacio.
Disponibilidad de EliteSiC M4 de 750 V y 1200 V
EliteSiC M4 ya está disponible en formato de chip sin encapsular (bare die) de 750 V, destinado a inversores de tracción para automoción. onsemi prevé ampliar la plataforma con nuevas referencias y diferentes niveles de tensión, hasta 1200 V, a partir de 2027.
