Los nuevos MOSFET de potencia, caracterizados por una resistencia en conducción (RDS(on)) muy baja para reducir significativamente las pérdidas en conducción, se suministran como dispositivos de 20V y 30V en configuraciones de canal N y P. Estos dispositivos, diseñados con un control de puerta máximo a partir de 12Vgs, son ideales para circuitos de protección de baterías con dos células en serie. El IRL6297SD ofrece dos MOSFET de canal N de 20V en configuración de drenador común en un encapsulado DirectFET® Small Can compacto y térmicamente eficiente.
 
El amplio catálogo de MOSFET de IR para gestión de baterías se suministra en encapsulados estándar así como en el doble Small Can DirectFET® para diseños compactos. Como resultado de la baja Rds(on) de esta plataforma, los dispositivos se pueden utilizar para sustituir MOSFET de encapsulados más grandes con el fin de ahorrar espacio en la placa y reducir el coste del sistema.
 
Todos los dispositivos son conformes a MSL1 y RoHS y no contienen plomo, bromuros o halógenos.

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